Fabrication and their Optoelectronic Properties of Environment-Friendly Metal Oxide Semiconductor Films with Intermediate-Band

环保型中能带金属氧化物半导体薄膜的制备及其光电性能

• 批准号: 23656212
• 负责人: MORIMOTO Akiharu
• 金额: $ 2.5万
• 依托单位: Kanazawa University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23656212/
• 关键词: 酸化鉄薄膜; Bi系酸化鉄薄膜; ショットキー接合; 強誘電性分極誘起光起電力素子; パルスレーザ堆積PLD; 強誘電体分極誘起光起電力素子

Iron oxide (α-Fe2O3) and Bi-iron oxide (BiFeO3) films with various impurities were fabricated by pulsed laser ablation technique. Photovoltaic properties were obtained in Schottky solar cells with α-Fe2O3 films. Polarization-induced photovoltaic effects were observed in Nd-doped BiFeO3 ferroelectric films as well, resulting in an open circuit voltage of 0.81 V and a short circuit current density of 12.1 mA/cm2.

采用脉冲激光烧蚀技术制备了含有不同杂质的氧化铁（α-Fe2O3）和双氧化铁（BiFeO3）薄膜。采用α-Fe2O3薄膜制备的肖特基太阳能电池获得了光伏性能。在掺nd的BiFeO3铁电薄膜中也观察到极化诱导的光伏效应，导致开路电压为0.81 V，短路电流密度为12.1 mA/cm2。

项目成果

Micropatterning of crystallized Pb(Zr,Ti)O3 films by deliquescence of amorphous MgO

通过非晶 MgO 潮解对结晶 Pb(Zr,Ti)O3 薄膜进行微图案化

• 发表时间: 2012
• 作者: S. Uchida;R. Kato;N. Shirai and F. Tochikubo;田畑 仁;T. Kawae
• 通讯作者: T. Kawae

Nd置換BiFeO3 強誘電体薄膜における光起電力Fig.8 J-V curves with the reverse sweep under illumination in the BFO (black dashed-dotted curve) and BNF (red broken curve) cells with Au top electrodes. Jmax and Vmax represent the current density and the voltage with the maximu

Nd 取代的 BiFeO3 铁电薄膜中的光伏功率图 8 带 Au 顶部电极的 BFO（黑色点划线）和 BNF（红色虚线）电池中反向扫描的 J-V 曲线 Jmax 和 Vmax 代表电流密度。和最大电压

• 发表时间: 2013
• 作者: 山崎修平;川江 健;森本章治
• 通讯作者: 森本章治

Structure and Electrical Properties of (Pr, Mn)-Codoped BiFeO3/B-Doped Diamond Layered Structure

• DOI: 10.1149/1.3568838
• 发表时间: 2011-06
• 期刊: Electrochemical and Solid State Letters
• 作者: T. Kawae;Y. Hori;T. Nakajima;H. Kawasaki;N. Tokuda;S. Okamura;Y. Takano;A. Morimoto

Improvement of memory properties by N2 annealing of Al/Al2O3/ Al-rich Al-O/SiO2/p-Si structure

通过 Al/Al2O3/富铝 Al-O/SiO2/p-Si 结构的 N2 退火改善存储性能

• 发表时间: 2013
• 作者: T. Kamihira;Maziah. N. B. Ishak;S.Narita and H.Yamada;Shinya Ozaki
• 通讯作者: Shinya Ozaki

PLD法によるNb添加α-Fe2O3薄膜の作製と光電特性

PLD法制备铌掺杂α-Fe2O3薄膜及其光电性能

• 发表时间: 2011
• 作者: 久々湊聡;川江 健;森本章治
• 通讯作者: 森本章治