Development of MT-FET for chemical sensor with molecular wire

分子线化学传感器MT-FET的开发

• 批准号: 23656244
• 负责人: HAYASHI Kenshi
• 金额: $ 2.25万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23656244/
• 关键词: 有機エレクトロニクス; 有機 FET; センサ; モット転移; 金ナノ粒子; ナノギャップ; 有機FET; 分子ワイア; 分子認識

Low dimensional conductive layers composed of organic material (P3HT or pentacene with a few 10 nm thickness coupled with molecular recognizing materials), which could exhibit switching properties by external chemicals based on mechanisms as Mott-transition, were fabricated for organic FET for chemical sensor devices. As a result, FET properties were changed by gas application, and sensor response can be altered by addition of molecular recognition layers. Furthermore, it wan confirmed that response mechanism of low dimensional conductive layer to chemical substances was examined with nanogap electrode bridged by gold nanoparticles having a surface modification layer.

制备了用于化学传感器器件的有机场效应晶体管（FET）的低维导电层，该导电层由有机材料（P3HT或厚度约10 nm的并五苯与分子识别材料耦合而成）组成，该导电层基于mott跃迁等机制，可以在外部化学物质的作用下表现出开关特性。结果表明，气体应用改变了FET的性能，而添加分子识别层可以改变传感器的响应。此外，利用具有表面修饰层的金纳米颗粒桥接的纳米间隙电极，研究了低维导电层对化学物质的响应机制。

项目成果

ナノギャップ電極を用いたガスセンサの開発

使用纳米间隙电极的气体传感器的开发

• 发表时间: 2012
• 作者: 渡辺 真司;林 健司
• 通讯作者: 林 健司

ナノワイヤ被覆 Au-NPs の導電性による化学センサ

基于纳米线涂层金纳米粒子电导率的化学传感器

• 发表时间: 2011
• 作者: 松永 拓也;劉 傳軍;林 健司
• 通讯作者: 林 健司

有機薄膜トランジスタによるガスセンシング

使用有机薄膜晶体管的气体传感

• 发表时间: 2011
• 作者: 宮口 健一;林 健司;劉 傳軍;松永 拓也
• 通讯作者: 松永 拓也