Size tuning of I-III-VI semiconductor quantum dots aiming at nanoparticle device

针对纳米粒子器件的 I-III-VI 半导体量子点尺寸调整

• 批准号: 23750161
• 负责人: UEMATSU Taro
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23750161/
• 关键词: コロイド; 超微粒子; 半導体ナノ粒子; 量子ドット; I-III-VI族半導体; サイズ選択光エッチング; 半導体量子ドット; 硫化銅インジウム; I-III-VI

I-III-VI semiconductor nanoparticles are promising materials for fluorophores and optoelectronic devices, and the chemical synthetic methods that give uniform and monodispersed nanoparticles are required. In the present study, effects of starting materials (ligands and solvents) on nanoparticles size and shape were investigated. The size tuning technique by using light, size-selective photoetching, was also investigated to find the reaction condition that is suitable for I-III-VI semiconductor nanoparticles.

I-III-VI族半导体纳米粒子是一种很有前途的荧光材料和光电子器件材料，需要化学合成方法来获得均匀和单分散的纳米粒子。在本研究中，研究了起始材料（配体和溶剂）对纳米颗粒尺寸和形状的影响。同时，我们还研究了利用光进行尺寸选择性光刻的尺寸调节技术，以找到适合于制备I-III-VI族半导体纳米颗粒的反应条件。

项目成果

ZnS-AgInS_2固溶体ナノ粒子を用いた電極界面の濃度プロファイル観察

使用ZnS-AgInS_2固溶体纳米颗粒观察电极界面的浓度分布

• 发表时间: 2011
• 作者: 梶 勇輔

Synthesis of New Fluorescent Semiconductor Nanoparticles and Their Optical Uses

新型荧光半导体纳米颗粒的合成及其光学用途

• 发表时间: 2011
• 作者: 田中大輔;猪瀬朋子;太田雄介;田中啓文;阪上祥平;石川直人;小川琢治;Taro Uematsu
• 通讯作者: Taro Uematsu

蛍光発光性 ZnS-AgInS2固溶体ナノ粒子の消光と物質センシングへの応用

荧光ZnS-AgInS2固溶体纳米粒子的淬灭及其在材料传感中的应用

• 发表时间: 2011
• 作者: 小林浩和;北川宏;上松 太郎
• 通讯作者: 上松 太郎

量子ドットおよびインクジェットを利用した半導体薄膜の作製と太陽電池への応用

使用量子点和喷墨制造半导体薄膜及其在太阳能电池中的应用

• 发表时间: 2013
• 作者: S.Horike;T.Fukushima;S.Kitagawa;他;若井 彩子・梅原 大明・○森 直・楊 成・福原 学・井上 佳久;上松 太郎
• 通讯作者: 上松 太郎

ZnS-AgInS_2固溶体ナノ粒子の蛍光消光を利用した電子移動に関する研究

ZnS-AgInS_2固溶体纳米粒子荧光猝灭电子转移研究

• 发表时间: 2011
• 作者: ○松下 諒平・楊 成・福原 学・森 直・井上 佳久;田中大輔;道幸 明久
• 通讯作者: 道幸 明久