Size tuning of I-III-VI semiconductor quantum dots aiming at nanoparticle device
Size tuning of I-III-VI semiconductor quantum dots aiming at nanoparticle device
批准号:
23750161
负责人:
UEMATSU Taro
金额:
$2.91万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2011
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2011 至 2012
中文摘要
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英文摘要
I-III-VI semiconductor nanoparticles are promising materials for fluorophores and optoelectronic devices, and the chemical synthetic methods that give uniform and monodispersed nanoparticles are required. In the present study, effects of starting materials (ligands and solvents) on nanoparticles size and shape were investigated. The size tuning technique by using light, size-selective photoetching, was also investigated to find the reaction condition that is suitable for I-III-VI semiconductor nanoparticles.
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ZnS-AgInS_2固溶体ナノ粒子を用いた電極界面の濃度プロファイル観察
使用ZnS-AgInS_2固溶体纳米颗粒观察电极界面的浓度分布
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[梶 勇輔]
通讯作者:
梶 勇輔
Synthesis of New Fluorescent Semiconductor Nanoparticles and Their Optical Uses
新型荧光半导体纳米颗粒的合成及其光学用途
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[田中大輔, 猪瀬朋子, 太田雄介, 田中啓文, 阪上祥平, 石川直人, 小川琢治, Taro Uematsu]
通讯作者:
Taro Uematsu
蛍光発光性 ZnS-AgInS2固溶体ナノ粒子の消光と物質センシングへの応用
荧光ZnS-AgInS2固溶体纳米粒子的淬灭及其在材料传感中的应用
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[小林浩和, 北川宏, 上松 太郎]
通讯作者:
上松 太郎
量子ドットおよびインクジェットを利用した半導体薄膜の作製と太陽電池への応用
使用量子点和喷墨制造半导体薄膜及其在太阳能电池中的应用
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S.Horike, T.Fukushima, S.Kitagawa, 他, 若井 彩子・梅原 大明・○森 直・楊 成・福原 学・井上 佳久, 上松 太郎]
通讯作者:
上松 太郎
ZnS-AgInS_2固溶体ナノ粒子の蛍光消光を利用した電子移動に関する研究
ZnS-AgInS_2固溶体纳米粒子荧光猝灭电子转移研究
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[○松下 諒平・楊 成・福原 学・森 直・井上 佳久, 田中大輔, 道幸 明久]
通讯作者:
道幸 明久
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聚合物超微粒子增强弹性体新方法及复合体系界面性质的研究
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批准号:10476014
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项目类别:联合基金项目
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资助金额:20.0万元
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批准年份:2004
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负责人:卢灿辉
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依托单位:
高分子超微粒子的合成、形态、组装与声学特性研究
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批准号:50273022
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项目类别:面上项目
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资助金额:25.0万元
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批准年份:2002
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批准号:69574019
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项目类别:面上项目
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批准号:69201005
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批准年份:1992
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依托单位:
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批准号:69271019
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项目类别:面上项目
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依托单位:
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批准号:29170157
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批准年份:1991
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负责人:任新民
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依托单位: