Gd neutron converter doped semiconductor thermal neutron detectors

掺钆中子转换器半导体热中子探测器

基本信息

  • 批准号:
    23760065
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2011
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2011 至 2012
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Gd-doped CdTe semiconductor detector was prepared as a new structure detector for thermal neutron imaging. The detector showed clear rectifying property and it was able to measure the energy spectra of gamma-ray sources like a conventional CdTe detector. In the measurement of the neutron source, the internal conversion electrons which can’t be detected by conventional CdTe detector were detected. This study indicated that doping of neutron converter is possible to improve the detection efficiency of thermal neutron.
制备了掺钆CdTe半导体探测器作为一种新型结构的热中子成像探测器。该探测器表现出明显的整流特性,能够像传统的CdTe探测器一样测量伽马射线源的能谱。在中子源测量中,检测到了常规CdTe探测器无法检测到的内转换电子。这项研究表明,中子转换器的掺杂可以提高热中子的探测效率。

项目成果

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专利数量(0)
スタック型Gd/CdTeを用いた即発γ線同時計測による熱中性子検出
使用堆叠 Gd/CdTe 同时测量瞬发伽马射线进行热中子探测
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Zen;M. Adachi;M. Katoh;T. Tanikawa;N. Yamamoto;M. Hosaka;山口啓太,栗原貴之,南康夫,中嶋誠,末元徹;三宅亜紀,三村秀典,青木 徹
  • 通讯作者:
    三宅亜紀,三村秀典,青木 徹
BGaN を用いた中性子半導体検出器の開発
使用BGaN的中子半导体探测器的开发
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    池谷優樹;堺原弘行;南 康夫;片山郁文;武田 淳;山田逸成,山下直人,谷邦彦,栄西俊彦,斉藤光徳,福味幸平,西井準治;金子 寿,西岡孝浩,渥美勝浩,三宅亜紀,青木徹,中野貴之
  • 通讯作者:
    金子 寿,西岡孝浩,渥美勝浩,三宅亜紀,青木徹,中野貴之
A CdTe detector with a Gd converter for thermal neutron detection
GaGdN半導体を用いた中性子検出器II
使用 GaGdN 半导体的中子探测器 II
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Wei Wei;Sheng Wang;Zhaolin Gu;Kiwamu Kase;Yusuke Tajima;Takaaki Orii;Hideaki Takaku;Noboru Imai;Jungmyoung Ju and Yutaka Yamagata;富田卓朗,長谷川登,錦野将元,南 康夫,武井亮太,石野雅彦,山本 稔,寺川康太,海堀岳史,河内哲哉,山極 満,末元 徹;西岡孝浩,金子寿,三宅亜紀,シン シャイレンドラ,森井久志,中野孝之,根尾陽一郎,三村秀典,青木徹
  • 通讯作者:
    西岡孝浩,金子寿,三宅亜紀,シン シャイレンドラ,森井久志,中野孝之,根尾陽一郎,三村秀典,青木徹
Gdコンバータを用いたCdTe半導体検出器による熱中性子検出、Gdコンバータを用いたCdTe半導体検出器による熱中性子検出
使用使用 Gd 转换器的 CdTe 半导体检测器进行热中子检测 使用使用 Gd 转换器的 CdTe 半导体检测器进行热中子检测
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    三宅亜紀;西岡孝浩;森井久史;三村秀典;青木徹
  • 通讯作者:
    青木徹
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    $ 2.75万
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