Synthesis of SiC nanotubes with hetero-structure by controlling their microstructures using ions irradiation technique

利用离子辐照技术控制微观结构合成异质结构碳化硅纳米管

基本信息

  • 批准号:
    23760646
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2011
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2011 至 2013
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Single-crystalline, nano-crystalline and amorphous SiC nanotubes were successfully synthesized by ions irradiation of polycrystalline SiC nanotubes. The critical irradiation damage of completely amorphization of polycrystalline SiC nanotubes decreased with increasing the atomic weight of irradiation ion. A polycrystalline/amorphous hetero-structure SiC nanotube, in which polycrystalline SiC and amorphous SiC coexisted in the same nanotube, was also synthesized by ions irradiation with masks in front of polycrystalline SiC nanotube.
采用离子辐照多晶SiC纳米管的方法,成功地合成了单晶、纳米晶和非晶SiC纳米管。多晶SiC纳米管完全非晶化的临界辐照损伤随辐照离子原子量的增加而降低。在多晶SiC纳米管的前面,用离子辐照的方法制备了多晶SiC和非晶SiC共存的多晶/非晶异质结构SiC纳米管。

项目成果

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专利数量(0)
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    長谷川良雄;菱沼行男;鈴木将;天本一平;横澤拓磨;小林秀和;田口富嗣;山川敦
  • 通讯作者:
    山川敦
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Yamazaki;M. Yoshimoto;O. Takeda;M. Kinsho;T. Taguchi;S. Yamamoto;T. Kurihara;I. Sugai
  • 通讯作者:
    I. Sugai
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    下条晃司郎;二井出哲平;田口富嗣;長縄弘親;神谷典穂;後藤雅宏
  • 通讯作者:
    後藤雅宏
アモルファス炭化ケイ素ナノチューブの製造方法
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Synthesis of SiC nanowires and nanotubes sheathed with BN
BN 包覆 SiC 纳米线和纳米管的合成
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