权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

メタルフリーＰＥＣＶＤ成長ナノ結晶グラフェン薄膜の詳細解析とデバイス応用

无金属PECVD生长纳米晶石墨烯薄膜的详细分析及器件应用

基本信息

批准号：
12F02791
负责人：
水田博
金额：
$ 1.47万
依托单位：
Japan Advanced Institute of Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2012
资助国家：
日本
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

メタル触媒フリーPECVD技術により作製したナノ結晶グラフェン（NCG)薄膜上に、電子線リソグラフィ技術とドライエッチングを用いて、チャネル長・幅が100 ～ 50 nmの微細ポイントコンタクト（PC）をチャネルと、２つのサイドゲート、およびバックゲートを備えたポイントコンタクト型トランジスタ（PC-Tr）を作製するプロセスを新たに開発した。作製したPC-Trの電気特性の温度依存性をT = 300 K ～ 5.2 K の範囲で測定した結果、チャネル抵抗が223 K付近で極大値を示すことがわかった。この振る舞いは２０個以上の作製デバイス全てに共通して観測されることから、NCG薄膜内のナノ結晶グレイン＆グレインバウンダリの微視的構造によるキャリア散乱に起因するものと考えられ、乱雑系におけるアンダーソン局在の理論モデルと定性的に合う振る舞いを示すことがわかった。また、低温領域ではPC-Trのコンダクタンスが温度にほとんど依存しないことから、グレインバウンダリによるトンネル障壁を介した直接トンネリングが支配的であるとの結論を得た。これと平行して、電界電離ガスイオン源（GFIS: Gas Field Ion Source）微細加工システムを用いて、収束ヘリウムイオンビームミリングによる超微細・高精度グラフェンナノリボン加工技術の構築を推進し、サスペンデッド状態の単層・多層グラフェン上に極細ナノリボンを作製工することに成功した。さらに収束窒素イオンビームによる膜厚5nmのNCG薄膜の直接加工を試み、～20nmのナノギャップ構造の形成にも成功した。

The thermal catalysis is used to operate the PECVD technology. The results show that the NCG film is used in the film, the power line is used in the film, the equipment is used, the length of the device is 100 to 50 nm, and the size of the microphone is in the range of 100 to 50 PC. Do you want to make sure that you need to make sure that you need to make sure that you are in the first place? this is the most important thing in the world. Do you want to make a decision? you need to make sure that you don't know what to do. You need to make sure that you don't know what to do. You need to know if you want to start a new operation. The temperature dependence of PC-Tr electrical characteristics T = 300K ~ 5.2K is measured in the range of 300K ~ 5.2K, and the temperature resistance is very high at 223K. There are more than 20 operators in the ballroom dance club. All of them are in common with each other. In the NCG film, it is possible to analyze the results of the video in the film. The cause of the disorder is the cause of the disruption of the microTV. The cause of the disorder is the cause of the accident. In the field of low temperature, the temperature dependence of temperature is very sensitive to the temperature. The temperature is dependent on the temperature. In parallel, GFIS: Gas Field Ion Source) micromachining equipment is used, and the ultra-micro, high-precision, high-precision, high-precision The thickness of the 5nm