金属間結合を利用したp/nヘテロジャンクションの構築と高移動度両極性導電体の創出

点击翻译按钮获取中文摘要

本研究では、自己組織化により作成した層状の構造体から、co-assemblingの手法を用いて最小の薄膜構造体を超分子的に剥離することに成功し、その半導体特性を明らかにした。アセチレン末端を有するフラーレン誘導体を合成し、水酸化ナトリウム存在下カップリング反応を行うことで、ピンサー型白金錯体とフラーレンのダイアッド合成に成功した。各種スペクトル測定によりキャラクタリゼーションを行なった。種々の混合溶媒を用い、合成したダイアッドの自己組織化挙動について検討を行なったところ、ある特定の条件において薄膜状の構造体を得ることに成功した。この構造体に関して透過型電子顕微鏡観察、粉末X線回折測定を行ない、白金錯体部位、フラーレン部位がそれぞれ交互に積層した層構造を有していることを明らかにした。また、合成したダイアッドと、ダイアッドの構成部位である白金錯体をco-assemblingすることによりナノオーダーの厚さを持つ薄膜の合成に成功した。co-assemblingを行なうことにより本来ダイアッドの白金錯体部位同士が相互作用する場所に、別途加えた白金錯体が入り込むことで層状の集合体へは成長せず最小単位として剥離できたと考えられる。サンプルの透過型電子顕微鏡観察、原子間力顕微鏡観察、粉末X線回折測定から構造解析に成功した。またサンプルの電荷輸送特性評価を行なった。自己組織化体サンプルがn型半導体特性のみを示したのに対し、co-assemblingサンプルにおいては光照射下でp型、n型両方の半導体特性を示すことが明らかとなった。