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フレキシブル基板上における歪みＳｉＧｅ擬似単結晶の創製と高速薄膜デバイスへの応用

在柔性衬底上制备应变 SiGe 赝单晶及其在高速薄膜器件中的应用

基本信息

批准号：
12J06549
负责人：
朴鍾ヒョク
金额：
$ 1.73万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2012
资助国家：
日本
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-12J06549/
关键词：
ゲルマニウムフレキシブル・エレクトロニクス金属誘起成長法フレキシブルデバイス金属有機層交換成長法低温結晶成長結晶方位制御擬似単結晶高移動度薄膜トランジスターシリコン金属誘起層交換成長薄膜トランジスター

项目摘要

本研究は、次世代情報通信機器である高性能フレキシブル・システム・イン・ディスプレイの実現を目指し、プラスチック基板上における高速薄膜トランジスターの基盤技術を創出することを目標としている。本年度は、軟化温度の低い（~ 250oC）材料であるプラスチック基板上に高移動度シリコンゲルマニウム（SiGe）擬似単結晶を形成するため、「Au誘起低温層交換成長法」の検討を行なった。まず、昨年度までの成果をもとに、Au誘起低温層交換成長法を用いてプラスチック基板上に形成した、方位制御され、かつ大粒径(≧10μm)を有するGe結晶薄膜の電気特性を評価した。成長温度におけるGe中のAu固溶度が極めて低いため、成長層中のキャリヤ密度が従来法(Al誘起成長法)に比べて低いことを明らかにするとともに、低いキャリヤ密度に起因して高キャリヤ移動度が発現することを明らかにした。さらに、Au誘起低温層交換成長法をSiGe系に展開した。Si濃度の上昇に伴い、結晶成長様態が変化することを明らかにするとともに、その現象を、Si濃度上昇に伴って、結晶成長反応の活性化エネルギーが上昇することに起因すると推察した。プロセス条件の適正化を進めることで、SiGe系においても、方位制御され、かつ大粒径(≧10μm)を有する結晶薄膜を実現した。フレキシブル・システム・イン・ディスプレイの基盤技術として期待される成果である。

This research focuses on the next-generation information and communications equipment, high-performance high-performance Fiber Channelし, における high-speed thin film トランジスターの base technology on the プラスチック substrate has created the することを target としている. This year, the softening temperature is low (~ 250oC) material high mobility シリコゲルマニウム (Si Ge) pseudo-single crystal formation method, "Au induced low-temperature layer exchange growth method" method.まず, last year's までの results をもとに, Au induced low-temperature layer exchange growth method いてプラスチックに-shaped on the substrate The electrochemical characteristics of the Ge crystal thin film are determined by the formation, orientation control, and large particle size (≧10 μm). The solid solubility of Au in the Ge medium is extremely low, and the density of the growth layer in the Ge medium is relatively high. Low density density The cause of the high movement is the movement of the movement.さらに、Au induced low temperature layer exchange growth method をSiGe system にdevelopment した. The increase in Si concentration is accompanied by the change of the crystal growth state, the change of the crystal growth state, and the phenomenon of S The increase in concentration of i is associated with the activation of crystal growth reaction and the cause of the increase is inferred.プロセスconditions are suitable for normalization, SiGe series, azimuth control, large particle size (≧10μm), and crystal thin films.フレキシブル・システム・イン・ディスプレイのBasic technology and として are looking forward to the results of されるである.