Electrical addressing of one- and two-dimensionally organized quantum dots

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Im Vorhaben sollen Möglichkeiten zur ein- und zweidimensionalen Organisation von Metallnanopartikeln, im Besonderen von Au55(PPh3)12Cl6, in vorstrukturierten Substraten sowie deren Kontaktierung durch vorgeprägte Leiterbahnen angepasster Strukturbreite erarbeitet werden. Dazu soll eine Stempeltechnik entwickelt werden, die auf mittels epitaktischer Verfahren erzeugter GaAs/GaAlAs-Stempel zurückgreift, womit Grabenstrukturen von etwa 3 nm Breite erzeugt werden sollen. Projektziel ist eine technisch gut reproduzierbare Anordnung von Metallnanopartikeln zwischen metallischen Kontakten bzw. Leiterbahnen, so dass jeder Kontaktpunkt in einer Cross-Bar-Anordnung von außen elektrisch adressiert werden kann.