Unoccupied Electronic Structure at Interface of Organic Semiconductor films
Unoccupied Electronic Structure at Interface of Organic Semiconductor films
有机半导体薄膜界面处的未占据电子结构
批准号：
24350013
负责人：
KANAI Kaname
金额：
$9.82万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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有機太陽電池におけるn型有機半導体分子の電子構造
有机太阳能电池中n型有机半导体分子的电子结构
有机太阳能电池中n型有机半导体分子的电子结构
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Hayasaka, T. Furukawa, H. Tomita, T. Takamatsu, K. Imamura, T. Fujita, T. Kobayashi, H. Uematsu, H. Ueno, Y. Matsuo, Kentaro Sakurai and Keiji Tanino, 中西利栄，野木村あゆ美，江口律子，金井要]
通讯作者：
中西利栄，野木村あゆ美，江口律子，金井要
環状チアジルラジカルBDTDA薄膜の電子構造の解明
环状噻唑基BDTDA薄膜电子结构的阐明
环状噻唑基BDTDA薄膜电子结构的阐明
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[古池晴信, 長谷川秀平, 水津理恵, 仲武昌史, 吉田弘幸, 金井要]
通讯作者：
金井要
共鳴光電子分光による有機半導体/TiO_2薄膜界面の電子構造の直接観測
共振光电子能谱直接观察有机半导体/TiO_2薄膜界面电子结构
共振光电子能谱直接观察有机半导体/TiO_2薄膜界面电子结构
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Seongyong Kim, Kohei Imura, Minwoo Lee, Tetsuya Narushima, Hiromi Okamoto, Dae Hong Jeong, 佐藤幹夫]
通讯作者：
佐藤幹夫
東京理科大学理工学部物理学科 金井研究室
东京理科大学理工学院物理系金井实验室
东京理科大学理工学院物理系金井实验室
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
一重項ビラジカル分子Ph2-IDPL薄膜を用いた両極性有機電界効果トランジスタの作製と電極界面の電子構造の解明
利用单线态双自由基分子Ph2-IDPL薄膜制备双极有机场效应晶体管并阐明电极界面的电子结构
利用单线态双自由基分子Ph2-IDPL薄膜制备双极有机场效应晶体管并阐明电极界面的电子结构
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Mami Kudo, Fumikatsu Kondo, Hideki Maekawa, Tadashi Shimizu, Masaaki Miyashita, Keiji Tanino, 古池晴信]
通讯作者：
古池晴信
共 20 条
Structure and Electronic Structure of Organic Interfaces : From Well-defined Ideal Interfaces to Real Devices
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批准号：19105005
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
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资助金额：$64.31万
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财政年份：2007
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负责人：KANAI Kaname
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依托单位：
海外基金