Preparation of low dislocation density and deep-UV transparent AlN substrates by hydride vapor phase epitaxy
Preparation of low dislocation density and deep-UV transparent AlN substrates by hydride vapor phase epitaxy
氢化物气相外延制备低位错密度深紫外透明AlN衬底
批准号：
24360006
负责人：
KUMAGAI Yoshinao
金额：
$12.23万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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DOI：
10.1063/1.4717623
发表时间：
2012-05
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[R. Collazo;Jinqiao Xie;Benjamin E. Gaddy;Z. Bryan;R. Kirste;M. Hoffmann;R. Dalmau;B. Moody;Y. Kumagai;Toru Nagashima;Y. Kubota;T. Kinoshita;A. Koukitu;D. Irving;Z. Sitar]
通讯作者：
R. Collazo;Jinqiao Xie;Benjamin E. Gaddy;Z. Bryan;R. Kirste;M. Hoffmann;R. Dalmau;B. Moody;Y. Kumagai;Toru Nagashima;Y. Kubota;T. Kinoshita;A. Koukitu;D. Irving;Z. Sitar
Hetero- and Homo-Epitaxy of Thick AIN Layers by Hydride Vapor Phase Epitaxy
通过氢化物气相外延进行厚 AlN 层的异质和同质外延
通过氢化物气相外延进行厚 AlN 层的异质和同质外延
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y, Kumagai, Y, Kubota, T, Nagashima, T, Kinoshita, R, Dalmau, R, Schlesser, B, Moody, J, Xie, H, Murakami, A, Koukitu, Z, Sitar]
通讯作者：
Sitar
DOI：
10.1063/1.4824731
发表时间：
2013-10-14
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子：
4
作者：
[Gaddy, Benjamin E., Bryan, Zachary, Irving, Douglas L.]
通讯作者：
Irving, Douglas L.
Preparation of a Freestanding AlN Substrate from a Thick AlN Layer Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy on a Bulk AlN Substrate Prepared by Physical Vapor Transport
在物理气相传输制备的块状 AlN 衬底上通过氢化物气相外延生长厚 AlN 层制备独立式 AlN 衬底
在物理气相传输制备的块状 AlN 衬底上通过氢化物气相外延生长厚 AlN 层制备独立式 AlN 衬底
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[Yoshinao Kumagai, Yuki Kubota, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Baxter Moody, Jinqiao Xie, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu, Zlatko Sitar]
通讯作者：
Zlatko Sitar
Growth of AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy
氢化物气相外延生长 AlN
氢化物气相外延生长 AlN
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Kumagai, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, R. Togashi, H. Murakami, R. Collazo, A. Koukitu and Z. Sitar]
通讯作者：
A. Koukitu and Z. Sitar
共 47 条
Investigation of void formation mechanism beneath thin AlN layers grown on foreign substrates
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批准号：21560009
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.0万
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财政年份：2009
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负责人：KUMAGAI Yoshinao
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依托单位：
海外基金