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Development of Random Network Photonic Device

Development of Random Network Photonic Device
随机网络光子器件的研制
批准号：
24360024
负责人：
EDAGAWA Keiichi
金额：
$12.65万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24360024/
关键词：
フォトニック結晶アモルファス構造フォトニックバンドギャップテラヘルツ帯フォトニックアモルファス

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二次元フォトニック準結晶における光禁制帯形成機構
二维光子准晶光学禁带形成机制
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [吉井 健登, Guo Xiaoyang, 時田 茂樹,吉田 実, 西岡 一, 河仲 準二, 近藤高志, Kentoku Horikiri and Tomoyuki Miyamoto, 川俣勇太,枝川圭一]
通讯作者： 川俣勇太,枝川圭一
光造形法によるテラヘルツ帯フォトニック・アモルファスの作製
立体光刻法制备太赫兹波段光子非晶
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [神谷康敬, 山崎憲慈, 荻野俊郎, 枝川圭一]
通讯作者： 枝川圭一
光造形法によるテラヘルツ帯フォトニック・アモルファス・ダイアモンドの作製
利用立体光刻技术制造太赫兹波段光子非晶金刚石
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [小見山雄一郎, 上村祥史, 枝川 圭一]
通讯作者： 枝川 圭一
五配位及び六配位アモルファス構造体における光禁制帯形成
五配位和六配位非晶结构中光禁带的形成
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [小見山雄一郎, 阿部紘之, 上村祥史, 枝川圭一]
通讯作者： 枝川圭一
共 9 条
    Study on random network photonic materials
    • 批准号：
      21360027
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.81万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      EDAGAWA Keiichi
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    STM and STS studies of atomic structure and electronic states in quasicrystals
    • 批准号：
      14550649
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.56万
    • 财政年份：
      2002
    • 负责人：
      EDAGAWA Keiichi
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Dislocations in quasicrystals
    • 批准号：
      11650674
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.62万
    • 财政年份：
      1999
    • 负责人：
      EDAGAWA Keiichi
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    海外基金