Seeking innovative alloy elements for development of low-temperature and high-reliability Cu-alloy interconnects and electrodes with reducing process temperature

寻求创新合金元素，用于开发低温、高可靠性铜合金互连件和电极，并降低工艺温度

• 批准号: 24360307
• 负责人: ITO KAZUHIRO
• 金额: $ 11.48万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24360307/
• 关键词: Cu配線; 熱処理; Cu(Mg); Cu(Ti); 抵抗率; 密着性; 接触抵抗; IGZO; Cu合金膜; マグネシウム; チタン; ITO

项目成果

Integration of various functions using Ti as an alloy element for Cu interconnects in electronic devices

使用Ti作为电子设备中Cu互连的合金元素来集成各种功能

• 发表时间: 2013
• 作者: Kazuhiro Ito

Synthesis of low contact-resistance Cu(Ti)/ITO junctions

低接触电阻 Cu(Ti)/ITO 结的合成

• 发表时间: 2014
• 作者: Kazuhiro Ito;W. Nakagawa;Y. Shirai;M. Murakami;伊藤 和博
• 通讯作者: 伊藤 和博

子デバイスへのCu配線形成のための金属材料学的アプローチ

在子器件中形成铜互连的金属材料方法

• 发表时间: 2013
• 作者: Akira Miyamoto;Nozomu Hatakeyama;Ai Suzuki;Ryuji Miura;Sumio Kozawa;Mark C. Williams;伊藤和博
• 通讯作者: 伊藤和博

Reduction of Contact Resistance for Cu(Ti)/ITO Junction

降低 Cu(Ti)/ITO 结的接触电阻

• 发表时间: 2012
• 作者: Kazuhiro ITO

Cu(Ti)合金膜を用いたIGZO膜への低接触抵抗電極の作製

Cu(Ti)合金膜IGZO薄膜上低接触电阻电极的制作

• 发表时间: 2014
• 作者: 伊藤 和博;小濱 和之;佐野 貴之;生田目 俊秀;大井 暁彦
• 通讯作者: 大井 暁彦