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Development of Spin Seebeck Devices

Development of Spin Seebeck Devices
自旋塞贝克装置的开发
批准号：
24560376
负责人：
KOYANAGI Tsuyoshi
金额：
$3.49万
依托单位：
Yamaguchi University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24560376/
关键词：
スピン流スピン・ゼーベック効果異常ネルンスト効果磁性ガーネット磁性半導体薄膜ＭＯＤ法ＭＢＥ法磁性絶縁体ガーネット酸化物磁性絶縁体逆スピン・ホール効果

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ＭＯＤ法により作製した塗布型Nd2BiFe5-xGaxO12薄膜における縦型スピンゼーベック効果
MOD法制备涂层Nd2BiFe5-xGaxO12薄膜的垂直自旋塞贝克效应
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [桑原惇, 坂田直文, 小野達也, 浅田裕法, 目黒燎, 箸中貴大, 婁庚健, 石橋隆幸, 岸本堅剛, 小柳剛]
通讯作者： 小柳剛
ＭＯＤ法により作製したNd系磁性ガーネット薄膜における縦型スピンゼーベック効果
MOD法制备钕基磁性石榴石薄膜的垂直自旋塞贝克效应
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [桑原惇, 浅田裕法, 婁庚健, 石橋隆幸, 岸本堅剛, 小柳剛]
通讯作者： 小柳剛
GaAs基板上へのGe1-xMnxTe成長におけるバッファー層の効果
缓冲层对GaAs衬底上Ge1-xMnxTe生长的影响
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： [太田司, 萩原孝紀, 飯田和生, 西村謙佑，河野有輝，植田義幸，浅田裕法，岸本堅剛，小柳剛]
通讯作者： 西村謙佑，河野有輝，植田義幸，浅田裕法，岸本堅剛，小柳剛
Longitudinal spin Seebeck effect in Nd2BiFe5-xGaxO12 prepared on gadolinium gallium garnet (001) by metal organic decomposition method
金属有机分解法在钆镓石榴石(001)上制备Nd2BiFe5-xGaxO12的纵向自旋塞贝克效应
DOI： 10.1063/1.4914361
发表时间： 2015
期刊： Journal of Applied Physics
影响因子： 3.2
作者： [H.Asada, A.Kuwahara, N.Sakata, T.Ono, T.Ishibashi, A.Meguro, T.Hashinaka, K.Kishimoto, T.Koyanagi]
通讯作者： T.Koyanagi
Development of Magnetoelectric and Thermoelectric Devices Using Functionally Separated Nano Structures in Clathrate Compounds
  • 批准号：
    21560332
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $3.08万
  • 财政年份：
    2009
  • 负责人：
    KOYANAGI Tsuyoshi
  • 依托单位：
    Yamaguchi University
Development of waveguide-type functional optical devices using semimagnetic semiconductor superlattices
  • 批准号：
    06805006
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $1.22万
  • 财政年份：
    1994
  • 负责人：
    KOYANAGI Tsuyoshi
  • 依托单位：
    Yamaguchi University