Development of Spin Seebeck Devices

自旋塞贝克装置的开发

• 批准号: 24560376
• 负责人: KOYANAGI Tsuyoshi
• 金额: $ 3.49万
• 依托单位: Yamaguchi University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24560376/
• 关键词: スピン流; スピン・ゼーベック効果; 異常ネルンスト効果; 磁性ガーネット; 磁性半導体; 薄膜; ＭＯＤ法; ＭＢＥ法; 磁性絶縁体; ガーネット; 酸化物磁性絶縁体; 逆スピン・ホール効果

项目成果

ＭＯＤ法により作製した塗布型Nd2BiFe5-xGaxO12薄膜における縦型スピンゼーベック効果

MOD法制备涂层Nd2BiFe5-xGaxO12薄膜的垂直自旋塞贝克效应

• 发表时间: 2014
• 作者: 桑原惇;坂田直文;小野達也;浅田裕法;目黒燎;箸中貴大;婁庚健;石橋隆幸;岸本堅剛;小柳剛
• 通讯作者: 小柳剛

ＭＯＤ法により作製したNd系磁性ガーネット薄膜における縦型スピンゼーベック効果

MOD法制备钕基磁性石榴石薄膜的垂直自旋塞贝克效应

• 发表时间: 2015
• 作者: 桑原惇;浅田裕法;婁庚健;石橋隆幸;岸本堅剛;小柳剛
• 通讯作者: 小柳剛

GaAs基板上へのGe1-xMnxTe成長におけるバッファー層の効果

缓冲层对GaAs衬底上Ge1-xMnxTe生长的影响

• 作者: 太田司;萩原孝紀;飯田和生;西村謙佑，河野有輝，植田義幸，浅田裕法，岸本堅剛，小柳剛
• 通讯作者: 西村謙佑，河野有輝，植田義幸，浅田裕法，岸本堅剛，小柳剛

Longitudinal spin Seebeck effect in Nd2BiFe5-xGaxO12 prepared on gadolinium gallium garnet (001) by metal organic decomposition method

金属有机分解法在钆镓石榴石(001)上制备Nd2BiFe5-xGaxO12的纵向自旋塞贝克效应

• DOI: 10.1063/1.4914361
• 发表时间: 2015
• 期刊: Journal of Applied Physics
• 影响因子: 3.2
• 作者: H.Asada;A.Kuwahara;N.Sakata;T.Ono;T.Ishibashi;A.Meguro;T.Hashinaka;K.Kishimoto;T.Koyanagi
• 通讯作者: T.Koyanagi

Longitudinal spin Seebeck effect in Nd2BiFe5-xGaxO12 prepared by MOD method

MOD法制备Nd2BiFe5-xGaxO12的纵向自旋塞贝克效应

• 发表时间: 2014
• 作者: H.Asada;A.Kuwahara;N.Sakata;T.Ishibashi;A.Meguro;T.Hashinaka;K.Kishimoto;T.Koyanagi
• 通讯作者: T.Koyanagi