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Study on double spin-filter tunnel barrier growth and hole spin injector
双自旋过滤器隧道势垒生长与空穴自旋注入研究
基本信息
- 批准号：24560375
- 负责人：
- 金额：$ 3.49万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Influence of substituting Te for S on magnetization of EuS thin films
Te替代S对EuS薄膜磁化强度的影响
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Senba;Y. Ueda;R. Kakimaru;S. Sakawaki. H. Asada;K. Kishimoto;T. Koyanagi
- 通讯作者：T. Koyanagi
MBE法によるBaF2基板上への閃亜鉛鉱型MnTeの成長
MBE法在BaF2基底上生长闪锌矿MnTe
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：前川亮介;冨田知大;仙波伸也;西村謙佑、浅田裕法，岸本堅剛，小柳剛
- 通讯作者：西村謙佑、浅田裕法，岸本堅剛，小柳剛
InP基板上へのEuS薄膜の成長と結晶性評価
InP 衬底上 EuS 薄膜的生长及结晶度评估
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：今泉悠佑;植田義幸;松本直樹;仙波伸也;浅田裕法;岸本堅剛;小柳剛
- 通讯作者：小柳剛
Characterization of epitaxial EuS(111) thin films on BaF2(111) and SrF2(111) substrates grown by molecular beam epitaxy
BaF2(111) 和 SrF2(111) 衬底上分子束外延生长的外延 EuS(111) 薄膜的表征
- DOI：10.3938/jkps.62.2109
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0.6
- 作者：S. Senba;N. Matsumoto;M. Jomura;H. Asada;Y. Fukuma;T. Koyanagi;K. Kishimoto
- 通讯作者：K. Kishimoto
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
ASADA HIRONORI其他文献
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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