GGA-FPKKR Calculations for Electronic and Magnetic Structures of Transition-metal Silicides

过渡金属硅化物电子和磁性结构的 GGA-FPKKR 计算

基本信息

  • 批准号:
    24560801
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.49万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2012
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2012-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Ni5Nb3Zr5 正20面体クラスターを単位とするNi-Nb-Zrアモ ルファス合金の局所構造
Ni5Nb3Zr5二十面体团簇单元Ni-Nb-Zr非晶合金的局域结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    藤間信久;星野敏春;福原幹夫
  • 通讯作者:
    福原幹夫
Screened-FPKKR計算による遷移金属シリサイドFe1-cCocSiのハーフメタリシティ:規則相の電子状態密度
通过 Screened-FPKKR 计算过渡金属硅化物 Fe1-cCocSi 的半金属丰度:有序相的电子态密度
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    星野敏春;藤間信久;劉暢;安里光裕
  • 通讯作者:
    安里光裕
FPKKR-Green関数法の第一原理計算によるFe,Al中の不純物周りの格子歪と体積変化
基于使用 FPKKR-Green 泛函方法的第一原理计算,Fe 和 Al 中杂质周围的晶格应变和体积变化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    藤間信久;星野敏春;福原幹夫;劉暢,安里光裕,藤間信久,星野敏春;安里光裕,劉暢,藤間信久,星野敏春
  • 通讯作者:
    安里光裕,劉暢,藤間信久,星野敏春
Full-Potential KKR calculations for lattice distortion of impurities in Fe-based dilute alloys, based on the Generalized-Gradient-Approximation
基于广义梯度近似的铁基稀合金中杂质晶格畸变的全势 KKR 计算
Full-Potential KKR Calculations for Lattice Distortion around Impurirties in Al-based Dilute Alloys, Based on the Generalized Gradient Approximation
基于广义梯度近似的铝基稀合金中杂质周围晶格畸变的全势 KKR 计算
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    C.Liu;M.Asato;N. Fujima;and T.Hoshino
  • 通讯作者:
    and T.Hoshino
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

HOSHINO Toshiharu其他文献

HOSHINO Toshiharu的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('HOSHINO Toshiharu', 18)}}的其他基金

AB-INITIO CALCULATIONS FOR DEFFECT EFFECT OF EIECTRONIC AND MAGNETIC STRUCTURES OF HEUSLER ALLOYS
霍斯勒合金电子和磁结构缺陷效应的从头计算
  • 批准号:
    20560614
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 3.49万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了