Epitaxial thin film growth of ion conductive hydrides for development of solid electrolytes

用于开发固体电解质的离子传导氢化物的外延薄膜生长

• 批准号: 24750197
• 负责人: OGUCHI Hiroyuki
• 金额: $ 3万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24750197/
• 关键词: 水素化物; エピタキシャル薄膜; 第一原理分子動力学法; Vapor liquid solid法; 薄膜; イオン伝導体; 全固体薄膜リチウムイオン電池

In this study, we challenged to grow epitaxial thin films of simplest hydride LiH to establish techniques essential to high quality thin film growth of hydrides, which are class of materials attracting attention as electrolytes of the future technology, thin film lithium ion batteries. The LiH epitaxial thin films were successfully obtained by hydrogenating liquid-Li on a MgO(100) substrate at temperature higher than the melting point of Li. In addition, simulation study revealed growth mechanism of the LiH epitaxial thin film that gives direction for epitaxial thin film growth of various hydrides.

在这项研究中，我们挑战生长最简单的氢化物LiH的外延薄膜，以建立对高质量的LiH薄膜生长至关重要的技术，LiH是一类作为未来技术薄膜锂离子电池的电解质而引起关注的材料。在MgO（100）衬底上，用高于Li熔点的温度氢化Li，成功地获得了LiH外延薄膜。此外，模拟研究揭示了LiH外延薄膜的生长机理，为不同晶型的外延薄膜生长提供了指导。

项目成果

MgO(100)基板上におけるLiH薄膜合成

MgO(100)衬底上LiH薄膜的合成

• 发表时间: 2013
• 作者: 大口裕之;桑野博喜;折茂慎一;白木将;一杉太郎
• 通讯作者: 一杉太郎

水素化リチウム薄膜合成条件の最適化

氢化锂薄膜合成条件优化

• 发表时间: 2013
• 作者: 大口裕之;桑野博喜;折茂慎一;大澤健男;白木将;一杉太郎
• 通讯作者: 一杉太郎

LiHエピタキシャル薄膜の成長機構

LiH外延薄膜的生长机理

• 发表时间: 2014
• 作者: 大口裕之;池庄司民夫;桑野博喜;折茂慎一;白木将;一杉太郎
• 通讯作者: 一杉太郎

LiHエピタキシャル薄膜成長

LiH外延薄膜生长

• 发表时间: 2014
• 作者: 大口裕之;池庄司民夫;桑野博喜;折茂慎一;白木将;一杉太郎
• 通讯作者: 一杉太郎