Study of electronic structure of GaMnAs with spin-BEEM
Study of electronic structure of GaMnAs with spin-BEEM
自旋BEEM研究GaMnAs电子结构
批准号：
24760006
负责人：
KAKU Shigeru
金额：
$2.08万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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Magnetic Anisotropy Constants and Anisotropic Magneto-Resistances in GaMnAs Depending on Layer Thickness
GaMnAs 中的磁各向异性常数和各向异性磁阻取决于层厚度
GaMnAs 中的磁各向异性常数和各向异性磁阻取决于层厚度
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
Proceedings of the International Symposium on Science Explored by Ultra Slow Muon (USM2013)
影响因子：
--
作者：
[Daiki Nozaki, Shigeru Kaku, and Junji Yoshino]
通讯作者：
and Junji Yoshino
Comparative study of initial growth of MnAs on GaAs(001)c(4*4)a and (6*6) reconstructions
GaAs(001)c(4*4)a 和 (6*6) 重建上 MnAs 初始生长的比较研究
GaAs(001)c(4*4)a 和 (6*6) 重建上 MnAs 初始生长的比较研究
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Hiraoka, S. Kaku and J. Yoshino]
通讯作者：
S. Kaku and J. Yoshino
STM測定と第一原理計算によるGaAs-c(4×4)α,βの電子構造解析
使用 STM 测量和第一性原理计算对 GaAs-c(4×4)α,β 进行电子结构分析
使用 STM 测量和第一性原理计算对 GaAs-c(4×4)α,β 进行电子结构分析
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[加来滋, 中村淳, 吉野淳二]
通讯作者：
吉野淳二
Symmetric-asymmetric transformation of an image on GaAs(001)-c(4 x 4)alpha surface using scanning tunneling microscopy
使用扫描隧道显微镜对 GaAs(001)-c(4 x 4)alpha 表面上的图像进行对称-不对称变换
使用扫描隧道显微镜对 GaAs(001)-c(4 x 4)alpha 表面上的图像进行对称-不对称变换
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A
影响因子：
2.9
作者：
[Yagyu, Kazuma; Kaku, Shigeru; Yoshino, Junji]
通讯作者：
Junji
Origin of symmetric STM images for the asymmetric atomic configuration on GaAs(001)–c(4 × 4)α surfaces
GaAs(001)–c(4 × 4)α 表面上不对称原子构型的对称 STM 图像的起源
GaAs(001)–c(4 × 4)α 表面上不对称原子构型的对称 STM 图像的起源
DOI：
10.1016/j.susc.2014.03.014
发表时间：
2014
期刊：
Surface Science
影响因子：
1.9
作者：
[S. Kaku, J. Nakamura, K. Yagyu, J. Yoshino]
通讯作者：
J. Yoshino
共 15 条
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