Study of electronic structure of GaMnAs with spin-BEEM

自旋BEEM研究GaMnAs电子结构

• 批准号: 24760006
• 负责人: KAKU Shigeru
• 金额: $ 2.08万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24760006/
• 关键词: スピントロニクス; 希薄磁性半導体; プローブ顕微鏡; ナノ; スピンエレクトロニクス; 表面; 磁性; SPM; 結晶成長; 高感度電気測定

项目成果

Magnetic Anisotropy Constants and Anisotropic Magneto-Resistances in GaMnAs Depending on Layer Thickness

GaMnAs 中的磁各向异性常数和各向异性磁阻取决于层厚度

• 发表时间: 2014
• 期刊: Proceedings of the International Symposium on Science Explored by Ultra Slow Muon (USM2013)
• 作者: Daiki Nozaki;Shigeru Kaku;and Junji Yoshino
• 通讯作者: and Junji Yoshino

Comparative study of initial growth of MnAs on GaAs(001)c(4*4)a and (6*6) reconstructions

GaAs(001)c(4*4)a 和 (6*6) 重建上 MnAs 初始生长的比较研究

• 作者: M. Hiraoka;S. Kaku and J. Yoshino
• 通讯作者: S. Kaku and J. Yoshino

Symmetric-asymmetric transformation of an image on GaAs(001)-c(4 x 4)alpha surface using scanning tunneling microscopy

使用扫描隧道显微镜对 GaAs(001)-c(4 x 4)alpha 表面上的图像进行对称-不对称变换

• 发表时间: 2012
• 期刊: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A
• 影响因子: 2.9
• 作者: Yagyu;Kazuma; Kaku;Shigeru; Yoshino;Junji
• 通讯作者: Junji

STM測定と第一原理計算によるGaAs-c(4×4)α,βの電子構造解析

使用 STM 测量和第一性原理计算对 GaAs-c(4×4)α,β 进行电子结构分析

• 发表时间: 2013
• 作者: 加来滋;中村淳;吉野淳二
• 通讯作者: 吉野淳二

Origin of symmetric STM images for the asymmetric atomic configuration on GaAs(001)–c(4 × 4)α surfaces

GaAs(001)–c(4 × 4)α 表面上不对称原子构型的对称 STM 图像的起源

• DOI: 10.1016/j.susc.2014.03.014
• 发表时间: 2014
• 期刊: Surface Science
• 影响因子: 1.9
• 作者: S. Kaku;J. Nakamura;K. Yagyu;J. Yoshino
• 通讯作者: J. Yoshino