Electrical spin generation and its manipulation in semiconductor nanostructures
Electrical spin generation and its manipulation in semiconductor nanostructures
半导体纳米结构中的电自旋产生及其操纵
批准号：
24684019
负责人：
KOHDA Makoto
金额：
$18.3万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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Shot noise at the quantum point contact in InGaAs heterostructure
InGaAs 异质结构中量子点接触处的散粒噪声
InGaAs 异质结构中量子点接触处的散粒噪声
DOI：
10.1063/1.4848410
发表时间：
2013
期刊：
AIP Conference Proceedings
影响因子：
--
作者：
[Y. Nishihara, S. Nakamura, K. Kobayashi, T. Ono, M. Kohda, J. Nitta]
通讯作者：
J. Nitta
InGaAs量子細線におけるコヒーレントな伝導チャネルの形成
InGaAs量子线中相干传导通道的形成
InGaAs量子线中相干传导通道的形成
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[西原禎孝,中村秀司,知田健作,荒川智紀,田中崇大,千葉大地,小林研介,小野輝男,好田誠, 新田淳作]
通讯作者：
新田淳作
Spin-orbit induced spin generation in InGaAs quantum wells
InGaAs 量子阱中自旋轨道诱导自旋产生
InGaAs 量子阱中自旋轨道诱导自旋产生
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Hidemi Shigekawa, Shoji, Yoshida, and Osamu Takeuchi, T.Miyazaki, M. Kohda]
通讯作者：
M. Kohda
Gate controlled long spin relaxation times in the persistent spin helix state in semiconductors
半导体中持续自旋螺旋状态下的门控长自旋弛豫时间
半导体中持续自旋螺旋状态下的门控长自旋弛豫时间
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yu TORIYABE, Yusuke SATO, Seiichi NISHIZAWA, Norio TERAMAE, M. Kohda]
通讯作者：
M. Kohda
Electronic Stern-Gerlach experiment by Rashba spin orbit interaction
拉什巴自旋轨道相互作用的电子斯特恩-格拉赫实验
拉什巴自旋轨道相互作用的电子斯特恩-格拉赫实验
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[郭登極, 米谷玲皇, 割澤伸一, 石原直, M. Kohda]
通讯作者：
M. Kohda
共 35 条
Magnetization reversal by controlling a perpendicular magnetic layer / semiconductor interface
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批准号：25600011
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.58万
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财政年份：2013
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负责人：KOHDA Makoto
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依托单位：
Chirality control of ferromagnetic ring memoery by magnetostatic interaction
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批准号：21760002
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$3.08万
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财政年份：2009
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负责人：KOHDA Makoto
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依托单位：
海外基金