Self-assemmbly of ideal quantum dots by droplet epitaxy
Self-assemmbly of ideal quantum dots by droplet epitaxy
液滴外延自组装理想量子点
批准号：
25390011
负责人：
Mano Takaaki
金额：
$3.24万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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Self-Assembled Growth of Ga Droplets on GaAs(001): Role of Surface Reconstructions
GaAs(001) 上 Ga 液滴的自组装生长：表面重构的作用
GaAs(001) 上 Ga 液滴的自组装生长：表面重构的作用
DOI：
10.1021/cg500355f
发表时间：
2014
期刊：
Crystal Growth & Design
影响因子：
3.8
作者：
[A. Ohtake, T. Mano, A. HAgiwara, and J. Nakamura]
通讯作者：
and J. Nakamura
(111)A 面上量子ドットにおける励起子微細構造分裂の高精度評価
(111)A面量子点激子精细结构分裂的高精度评估
(111)A面量子点激子精细结构分裂的高精度评估
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[中島秀朗, 熊野英和, 劉祥明, 間野高明, 黒田隆, 末宗幾夫]
通讯作者：
末宗幾夫
Impact of surface charge on spectrally diffusive photoluminescence in GaAs quantum dots grown by droplet epitaxy
表面电荷对液滴外延生长的 GaAs 量子点光谱扩散光致发光的影响
表面电荷对液滴外延生长的 GaAs 量子点光谱扩散光致发光的影响
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[N. Ha, 間野高明, 黒田隆, S.-J. Cheng, P. M. Koenraad, 大竹晃浩, 佐久間芳樹, 迫田和彰]
通讯作者：
迫田和彰
Eindhoven University of Technology(オランダ)
埃因霍温科技大学（荷兰）
埃因霍温科技大学（荷兰）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
10.1103/physrevb.92.075425
发表时间：
2015-08-19
期刊：
PHYSICAL REVIEW B
影响因子：
3.7
作者：
[Bietti, Sergio, Bocquel, Juanita, Sanguinetti, Stefano]
通讯作者：
Sanguinetti, Stefano
共 20 条
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