Crystal growth of molybdenum oxide films and its application in environmentally-resistant devices
氧化钼薄膜的晶体生长及其在耐环境器件中的应用
基本信息
- 批准号:25390033
- 负责人:
- 金额:$ 3.33万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2013
- 资助国家:日本
- 起止时间:2013-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
r面サファイア基板を用いたWO3薄膜のMBE成長
r面蓝宝石衬底MBE生长WO3薄膜
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Oda Y.;Sadakane K.;Yoshikawa Y.;Imanaka T.;Takiguchi K.;Hayashi M.;Kenmotsu T. and Yoshikawa K.;松尾昌幸,村山喬之,原田義之,小池一歩,佐々誠彦,矢野満明,稲葉克彦,小林信太郎,
- 通讯作者:松尾昌幸,村山喬之,原田義之,小池一歩,佐々誠彦,矢野満明,稲葉克彦,小林信太郎,
プロトンをインターカレーションした単結晶WO3薄膜の状態保持特性
质子插层单晶WO3薄膜的状态保持性能
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:桒形航行;美藤大輝;村上聡;岩田知也;小池一歩;原田義之;矢野満明;稲賀克彦;小林信太郎
- 通讯作者:小林信太郎
MBE成長した単結晶WO3薄膜のエレクトロクロミック特性(2)
MBE生长单晶WO3薄膜的电致变色性能(2)
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:村山喬之;桑形航行;原田義之;佐々誠彦;矢野満明;稲葉克彦;小林信太郎
- 通讯作者:小林信太郎
Postgrowth Annealing Effects on Structural, Optical, and Electrical Properties of beta-MoO3 Films Grown by Molecular Beam Epitaxy
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- DOI:10.1109/imfedk.2014.6867068
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Shinji Yagi;Masayuki Matsuo;Kazuto Koike;Yoshiyuki Harada;Shigehiko Sasa;Mitsuaki Yano
- 通讯作者:Mitsuaki Yano
単結晶WO3薄膜を用いたエレクトロクロミック素子の作製と評価
单晶WO3薄膜电致变色器件的制备与评价
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:秋元創;橋本綾子;竹口雅樹;関口隆史;村山喬之,松尾昌幸,原田義之,小池一歩,佐々誠彦,矢野満明,小林信太郎,稲葉克彦
- 通讯作者:村山喬之,松尾昌幸,原田義之,小池一歩,佐々誠彦,矢野満明,小林信太郎,稲葉克彦
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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- 影响因子:0
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- 影响因子:0
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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