Surface science of the highly doped silicon for the state of the art semiconductor devices in the next generation
Surface science of the highly doped silicon for the state of the art semiconductor devices in the next generation
用于下一代最先进半导体器件的高掺杂硅的表面科学
批准号：
25410015
负责人：
Matsumoto Taketoshi
金额：
$3.33万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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大阪大学産業科学研究所小林研究室
大阪大学产业科学研究所小林实验室
大阪大学产业科学研究所小林实验室
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
硝酸酸化膜による結晶型シリコン太陽電池の高効率化
利用硝酸氧化膜提高晶体硅太阳能电池的效率
利用硝酸氧化膜提高晶体硅太阳能电池的效率
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Sakagami, T. Johzaki, A. Sunahara and H. Nagatomo, 松本健俊，中島寛記，入鹿大地，野中啓章，今村健太郎，小林光]
通讯作者：
松本健俊，中島寛記，入鹿大地，野中啓章，今村健太郎，小林光
硝酸酸化法によるシリコン表面のパッシベーションと単結晶シリコン太陽電池の高効率化
硝酸氧化法钝化硅表面及提高单晶硅太阳能电池效率
硝酸氧化法钝化硅表面及提高单晶硅太阳能电池效率
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[F. Kaneko, N. Seto, S. Sato, S. Sakurai,, 廣瀬諒，松本健俊，小林光]
通讯作者：
廣瀬諒，松本健俊，小林光
恒久保存メモリ「デジタルロゼッタストーン」の加速耐湿試験による保護膜の評価
通过永久存储存储器“数字罗塞塔石碑”加速防潮测试评估保护膜
通过永久存储存储器“数字罗塞塔石碑”加速防潮测试评估保护膜
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Shuma Sato, Tatsuya Kawaguchi, Fumitoshi Kaneko, 佐藤啓文, 松本健俊，赤井智喜，今井繁規，小林光]
通讯作者：
松本健俊，赤井智喜，今井繁規，小林光
Improvement of crystalline silicon solar cells by the nitric acid oxidation (NAOS) method
硝酸氧化（NAOS）法改进晶体硅太阳能电池
硝酸氧化（NAOS）法改进晶体硅太阳能电池
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Matsumoto, R. Hirose, H. Nakajima, D. Irishika, T. Nonaka, K. Imamura, H. Kobayashi]
通讯作者：
H. Kobayashi
共 10 条
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