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Development of High Efficiency Chemical Mechanical Polishing Method of Hard-to-Process Materials Using Slurry Behavior Control

Development of High Efficiency Chemical Mechanical Polishing Method of Hard-to-Process Materials Using Slurry Behavior Control
利用浆料行为控制开发难加工材料的高效化学机械抛光方法
批准号：
25420070
负责人：
Uneda Michio
金额：
$2.5万
依托单位：
Kanazawa Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25420070/
关键词：
サファイア研磨・CMPスラリー流れ場研磨能率研磨条件電界印加研磨レートCMP

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Investigation of Polishing Mechanism of Sapphire-CMP Using Commercially Available Single-Sided Polisher
使用市售单面抛光机研究蓝宝石-CMP 抛光机制
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [Ryuji Kiyama, Takayuki Nonoyama, Susumu Wada, Nobuto Kitamura, Takayuki Kurokawa, Tasuku Nakajima, Kazunori Yasuda, Jian Ping Gong, Michio Uneda]
通讯作者： Michio Uneda
Influence of Linear Velocity Ratio on Removal Rate in Sapphire- Chemical Mechanical Polishing
蓝宝石化学机械抛光线速度比对去除率的影响
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [Michio Uneda, Keiichi Takano, Koji Koyama, Hideo Aida and Ken-ichi Ishikawa]
通讯作者： Hideo Aida and Ken-ichi Ishikawa
サファイアCMPにおける研磨メカニズムの分析－スラリー並びに修正リングが研磨レートに及ぼす影響－
蓝宝石CMP抛光机理分析-研磨液和校正环对抛光速率的影响-
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [S. Sakata, A. Hayashi, T. Terajima and Y. Nakao, A. Hayashi and Y. Nakao, 高野圭市，畝田道雄，小山浩司，會田英雄，石川憲一]
通讯作者： 高野圭市，畝田道雄，小山浩司，會田英雄，石川憲一
Relationships Between Polishing Variables, Removal Rate and Slurry Flow in Sapphire-CMP
蓝宝石-CMP 中抛光变量、去除率和浆料流量之间的关系
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [Michio Uneda, Yuya Fukuta, Yasuaki Itou, Kazutoshi Hotta, Kazusei Tamai, Hitoshi Morinaga and Ken-ichi Ishikawa]
通讯作者： Hitoshi Morinaga and Ken-ichi Ishikawa
共 12 条