Halide Vapor Phase Epitaxy of high-quality ScN
Halide Vapor Phase Epitaxy of high-quality ScN
高品质 ScN 的卤化物气相外延
批准号：
25790050
负责人：
OSHIMA Yuichi
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2015-03-31
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会议论文
HVPE法によるScNの成長と評価
HVPE法ScN的生长和评价
HVPE法ScN的生长和评价
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大島 祐一，ガルシア ビジョラ, 島村 清史]
通讯作者：
島村 清史
Halide vapor phase epitaxy of epsilon-Ga2O3 for optical and power device applications
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批准号：17K05047
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.08万
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财政年份：2017
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负责人：OSHIMA Yuichi
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依托单位：
海外基金
