Halide vapor phase epitaxy of epsilon-Ga2O3 for optical and power device applications
Halide vapor phase epitaxy of epsilon-Ga2O3 for optical and power device applications
用于光学和功率器件应用的 epsilon-Ga2O3 卤化物气相外延
批准号：
17K05047
负责人：
OSHIMA Yuichi
金额：
$3.08万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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Halide Vapor Phase Epitaxy of Meta-Stable Ga2O3
亚稳 Ga2O3 的卤化物气相外延
亚稳 Ga2O3 的卤化物气相外延
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Oshima Yuichi, Kawara Katsuaki, Oshima Takayoshi, Okigawa Mitsuru, Shinohe Takashi, 大島祐一, Yuichi Oshima]
通讯作者：
Yuichi Oshima
結晶性積層構造体および半導体装置
晶体叠层结构和半导体器件
晶体叠层结构和半导体器件
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
結晶性積層構造体の製造方法
晶体层压结构的制造方法
晶体层压结构的制造方法
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
ワイドギャップ半導体Ga2O3の安定相の制御
宽带隙半导体Ga2O3稳定相的控制
宽带隙半导体Ga2O3稳定相的控制
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Oshima Yuichi, Kawara Katsuaki, Oshima Takayoshi, Okigawa Mitsuru, Shinohe Takashi, 大島祐一]
通讯作者：
大島祐一
準安定相Ga2O3のハライド気相成長
亚稳态 Ga2O3 的卤化物气相生长
亚稳态 Ga2O3 的卤化物气相生长
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Oshima Yuichi, Kawara Katsuaki, Oshima Takayoshi, Okigawa Mitsuru, Shinohe Takashi, 大島祐一, Yuichi Oshima, 大島祐一]
通讯作者：
大島祐一
共 7 条
Halide Vapor Phase Epitaxy of high-quality ScN
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批准号：25790050
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2013
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负责人：OSHIMA Yuichi
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依托单位：
海外基金