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Halide vapor phase epitaxy of epsilon-Ga2O3 for optical and power device applications

用于光学和功率器件应用的 epsilon-Ga2O3 卤化物气相外延

基本信息

批准号：
17K05047
负责人：
OSHIMA Yuichi
金额：
$ 3.08万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Halide Vapor Phase Epitaxy of Meta-Stable Ga2O3

亚稳 Ga2O3 的卤化物气相外延

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Oshima Yuichi;Kawara Katsuaki;Oshima Takayoshi;Okigawa Mitsuru;Shinohe Takashi;大島祐一;Yuichi Oshima
通讯作者：
Yuichi Oshima

結晶性積層構造体および半導体装置

晶体叠层结构和半导体器件

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

結晶性積層構造体の製造方法

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DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

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DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Oshima Yuichi;Kawara Katsuaki;Oshima Takayoshi;Okigawa Mitsuru;Shinohe Takashi;大島祐一
通讯作者：
大島祐一

準安定相Ga2O3のハライド気相成長

亚稳态 Ga2O3 的卤化物气相生长

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Oshima Yuichi;Kawara Katsuaki;Oshima Takayoshi;Okigawa Mitsuru;Shinohe Takashi;大島祐一;Yuichi Oshima;大島祐一
通讯作者：
大島祐一

DOI：
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作者：
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Halide Vapor Phase Epitaxy of high-quality ScN

高品质 ScN 的卤化物气相外延

批准号：
25790050
财政年份：
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$ 3.08万
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