权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

シリコン基板上ＩＩＩ－Ｖ族半導体光デバイス集積技術の開発

硅衬底III-V族半导体光器件集成技术开发

基本信息

批准号：
14J04580
负责人：
松本恵一
金额：
$ 1.09万
依托单位：
Sophia University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-25 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

採用第1年度においては，InP/Si基板上において発光層に量子ドット構造を用いたLEDの集積を行い，InP/石英基板上に量子井戸構造を発光層としたLEDを集積した．また，本手法によるInP/Si基板上へのレーザ構造の集積も試みており，年度末には低温環境下ではあるが発振動作を確認した．しかし，光配線技術に本研究が貢献できる可能性を示すには，集積されたレーザが室温環境下において発振動作することを示す必要があった．そのため，今年度はInP基板上に集積されたレーザを室温環境下において安定的に発振させることと，InP/Si基板を電気的にも機械的にもInP基板と等価に扱えるようにすることで，上述目標の達成を試みてきた．具体的には，レーザ構造の結晶成長条件出しを行うと同時に，Si基板上薄膜InP層のドープ量をInP基板のドープ量と等価な値まで増やし，電流電圧特性，及び発光効率を評価することで電気的な側面から薄膜InP層に改善を施した．また，InP-Si間の熱膨張係数差に起因する熱応力がレーザ構造を構成する結晶内部に欠陥を生じさせ，デバイスの発光効率及び寿命の低下を引き起こすことも懸念された．そこで，薄膜InP層に超格子構造と呼ばれる応力緩和層を導入し，薄膜InP層に機械的側面から改善を施した．そして，InP基板上において確立された成長条件を用いて，電気的，及び機械的に改善されたInP/Si基板上にレーザ構造を成長することで，InP/Si基板上のレーザから室温発振動作を確認した．このことは，本手法が，光デバイスの高密度集積化という点から光配線技術の進展に貢献できる可能性を示したことに相当する．そのため，学会誌にLetter論文，及びPaper論文を投稿中である．

In the first year of the year, the InP/Si substrate was fabricated using the LED set, and the InP/ quartz substrate was used to build the quantum well. This technique is based on the InP/Si substrate. At the end of the year, in the environment of low temperature, this study presents a demonstration of the possibility of low-temperature ambient air conditioning at the end of the year. This study is designed to demonstrate the possibility of low-temperature ambient air conditioning at room temperature. This year, InP substrates are used for thermal stability at room temperature and InP substrates for electrical machinery on InP/Si substrates. The above-mentioned results are in good agreement with each other. For specific applications, the growth conditions of the mechanical properties of the electrical machinery on the InP substrate are the same as those in the same period. The thin film on the Si substrate is characterized by the thin film InP temperature measurement, the InP substrate temperature measurement, the InP substrate temperature measurement, etc., the current and current characteristics, and the optical properties of the thin film on the thin film of the thin film, the temperature of the thin film, the temperature, the temperature The low luminous rate and lifespan of thin-film InP lead to the production of thin-film InP superlattics. the mechanical properties of thin-film InP machines improve the performance of the machine, and the temperature on the InP substrate ensures that the growth conditions of the machine are in use. And the improvement of machinery and equipment. The equipment on the InP/Si substrate is used to grow the equipment. The room temperature vibration on the InP/Si substrate is used to confirm the equipment. This method is used to improve the performance of the high-density integrated optical wiring technology. The possibility of improving the performance of the optical distribution line shows that the performance of the equipment is very important. Learn to learn the Letter text. And "Paper" in the contribution.