课题基金 / 基金详情

マグネシウムシリサイドを用いた中高温型熱電材料とモジュールの高性能化に関する研究

マグネシウムシリサイドを用いた中高温型熱電材料とモジュールの高性能化に関する研究
采用硅化镁的高性能热电材料及模块研究
批准号:
14J05804
负责人:
新井 皓也
金额:
$0.77万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2014
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2014-04-25 至 2015-03-31

项目摘要

项目成果

相关文献

中文摘要
翻译
〈熱電性能指数〉は〈ゼーベック係数〉2乗×〈電気伝導率〉÷〈熱伝導率〉で表されるが、いずれの項もキャリア濃度に依存している。したがって、熱電変換材料のキャリア濃度の制御を行った上で〈熱伝導率〉に含まれるキャリアに依存しない〈格子熱伝導率〉を抑制することが熱電性能の高性能化の指針となる。以上より、本研究では、環境低負荷熱電変換材料であるマグネシウムシリサイド(Mg2Si)の熱電性能の向上のために、以下の内容の研究を実施した。① ドーパントとSiの合金を原料とし、放電プラズマ焼結法を用いてMg2Siを合成することで、ドーパントを均一化し、酸化を抑制したMg2Si試料を作製する② SbおよびGe添加によるキャリア濃度や格子定数の測定から、4bサイト格子間Mgへの影響や正確な固溶限を調査し、熱電特性を評価する③ Sb添加Mg2SiにさらにGeを添加することで格子熱伝導率を減少させ、熱電性能を向上させるMg2Siへの添加不純物として、Siサイトへドナーとして固溶されることでキャリア制御が可能であり、Siとの質量差から格子伝導率の減少が可能なSbと、キャリアを生成せずSiサイトへ全率固溶が可能であり、格子熱伝導率を抑制可能なGeに着目した。Siとドーパントの合金を用いたMg2SiのSPS内合成により、Sbの固溶限以下の範囲でSb濃度を制御することでキャリア濃度を制御可能とし、Geの添加によりSbの固溶限を増加させることが可能であることを明らかとした。また、SbおよびGe添加Mg2Siの電気伝導率とゼーベック係数は、Sb濃度に伴うキャリア濃度に依存することが明らかとなった。さらにMg2SiへGe添加することで、電気伝導率およびゼーベック係数へほぼ影響を与えず、格子熱伝導率の減少させることで無次元性能指数ZTの向上に有効的である知見を得た。
英文摘要
〈熱電性能指数〉は〈ゼーベック係数〉2乗×〈電気伝導率〉÷〈熱伝導率〉で表されるが、いずれの項もキャリア濃度に依存している。したがって、熱電変換材料のキャリア濃度の制御を行った上で〈熱伝導率〉に含まれるキャリアに依存しない〈格子熱伝導率〉を抑制することが熱電性能の高性能化の指針となる。以上より、本研究では、環境低負荷熱電変換材料であるマグネシウムシリサイド(Mg2Si)の熱電性能の向上のために、以下の内容の研究を実施した。① ドーパントとSiの合金を原料とし、放電プラズマ焼結法を用いてMg2Siを合成することで、ドーパントを均一化し、酸化を抑制したMg2Si試料を作製する② SbおよびGe添加によるキャリア濃度や格子定数の測定から、4bサイト格子間Mgへの影響や正確な固溶限を調査し、熱電特性を評価する③ Sb添加Mg2SiにさらにGeを添加することで格子熱伝導率を減少させ、熱電性能を向上させるMg2Siへの添加不純物として、Siサイトへドナーとして固溶されることでキャリア制御が可能であり、Siとの質量差から格子伝導率の減少が可能なSbと、キャリアを生成せずSiサイトへ全率固溶が可能であり、格子熱伝導率を抑制可能なGeに着目した。Siとドーパントの合金を用いたMg2SiのSPS内合成により、Sbの固溶限以下の範囲でSb濃度を制御することでキャリア濃度を制御可能とし、Geの添加によりSbの固溶限を増加させることが可能であることを明らかとした。また、SbおよびGe添加Mg2Siの電気伝導率とゼーベック係数は、Sb濃度に伴うキャリア濃度に依存することが明らかとなった。さらにMg2SiへGe添加することで、電気伝導率およびゼーベック係数へほぼ影響を与えず、格子熱伝導率の減少させることで無次元性能指数ZTの向上に有効的である知見を得た。
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会议论文
Synthesis and characterization of Sb doped Mg2Si by spark plasma sintering method
放电等离子烧结法合成Sb掺杂Mg2Si并表征
DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
作者: [K. Arai, A. Sasaki, Y. Kimori, T. Iida and K. Nishio]
通讯作者: T. Iida and K. Nishio
Thermoelectric properties and synthesis of Mg2Si0.95-xGe0.05Sbx by spark plasma sintering
Mg2Si0.95-xGe0.05Sbx的热电性能及放电等离子烧结合成
DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
作者: [A. Sasaki, K. Arai, Y. Kimori, T. Nakamura, K. Fujimoto, Y. Yamaguchi, R. Tamura, T. Iida and K. Nishio]
通讯作者: T. Iida and K. Nishio
Mg2Siを用いた熱電発電モジュールの開発
使用Mg2Si开发热电发电模块
DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
作者: [新井皓也, 井藤駿 ,永井健真, 三上那津子, 飯田努, 西尾圭史]
通讯作者: 西尾圭史
Investigation of Mg2Si formation from Si and Mg by ushing spark plasma sintering synthesis
通过喷射放电等离子烧结合成硅和镁形成 Mg2Si 的研究
DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
作者: [K. Sunohara, K. Arai, T. Nakamura, K. Fujimoto, Y. Yamaguchi, T. Iida and K. Nishio]
通讯作者: T. Iida and K. Nishio