Establishment of Fundamental Engineering of Sn-related Group-IV Semiconductor Materials for Multi-Functional and Low-Power Electronics
Establishment of Fundamental Engineering of Sn-related Group-IV Semiconductor Materials for Multi-Functional and Low-Power Electronics
多功能低功耗电子器件用锡相关IV族半导体材料基础工程的建立
批准号：
26220605
负责人：
ZAIMA SHIGEAKI
金额：
$115.32万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-05-30 至 2019-03-31
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Crystal growth of GeSn-based materials and its application for thin-film thermoelectric generators
GeSn基材料的晶体生长及其在薄膜热电发电机中的应用
GeSn基材料的晶体生长及其在薄膜热电发电机中的应用
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima]
通讯作者：
and S. Zaima
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[C. P. Ho, Z. Zhao, S. Takagi, and M. Takenaka]
通讯作者：
and M. Takenaka
Pure phase modulation based on graphene operating at wavelength of 3000 nm
基于石墨烯的纯相位调制，工作波长为 3000 nm
基于石墨烯的纯相位调制，工作波长为 3000 nm
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Yamaguchi, S. Takagi, and M. Takenaka]
通讯作者：
and M. Takenaka
Strain measurement of Heteroepitaxial GeSn/Ge microstructures by nano-beam electron diffraction
通过纳米束电子衍射测量异质外延 GeSn/Ge 微结构的应变
通过纳米束电子衍射测量异质外延 GeSn/Ge 微结构的应变
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Doi, K. Saitoh, N. Tanaka, S. Ike, O Nakatsuka and S. Zaima]
通讯作者：
O Nakatsuka and S. Zaima
シリコンナノエレクトロニクスのための新材料開発と表面・界面
硅纳米电子学的新材料开发和表面/界面
硅纳米电子学的新材料开发和表面/界面
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[17.露崎 活人，蔭浦 泰資，日出幸 昌邦，川原田 洋, 笹間 陽介，山口 尚秀，高野 義彦，立木 実，大井 修一，平田 和人，有沢 俊一, M. Yamamoto, 財満鎭明]
通讯作者：
財満鎭明
共 309 条
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