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Ternary wurtzite-type narrow band gap oxide semiconductor; Fabrication of thin-films and application to thin-film solar cells

Ternary wurtzite-type narrow band gap oxide semiconductor; Fabrication of thin-films and application to thin-film solar cells
三元纤锌矿型窄带隙氧化物半导体；
批准号：
26289239
负责人：
Omata Takahisa
金额：
$10.48万
依托单位：
Tohoku University (2016)Osaka University (2014-2015)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26289239/
关键词：
結晶成長太陽電池セラミックス先端機能デバイス光物性

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First Principle Calculation of Electronic Band Structure of Wurtzite β-CuGaO2 and β-AgGaO2
纤锌矿β-CuGaO2和β-AgGaO2电子能带结构的第一性原理计算
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, Y. Iguchi, C. Sato, H. Yanagi, N. Ohashi and T. Omata.]
通讯作者： N. Ohashi and T. Omata.
ウルツ鉱型関連構造の四元系ナローギャップ酸化物半導体Cu2ZnGeO4の合成
具有纤锌矿结构的四元窄带隙氧化物半导体Cu2ZnGeO4的合成
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [喜多正雄, 鈴木一誓, 長谷拓, 水野裕貴, 小俣孝久]
通讯作者： 小俣孝久
A New Direct and Narrow Band Gap Oxide Semiconductor; Wurtzite CuGaO2
一种新型直接窄带隙氧化物半导体；
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [I. Suzuki, H. Nagatani, M. Kita, Y. Iguchi, C. Sato, H. Yanagi, N. Ohashi and T. Omata., The Eighth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC8)]
通讯作者： The Eighth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC8)
High temperature phases with wurtzite-derived structure in Zn2LiGaO4-ZnO alloy system
Zn2LiGaO4-ZnO 合金体系中具有纤锌矿结构的高温相
DOI： 10.1016/j.jallcom.2016.06.249
发表时间： 2016
期刊： J Alloys Comp.
影响因子： --
作者： [M. Kita, T. Fukada, S. Yamaguchi, T. Omata]
通讯作者： T. Omata
共 38 条
    Development of novel cathode materials to realize intermediate temperature fuel cells; A major change of the material exploring field
    • 批准号：
      19K22041
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.08万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Omata Takahisa
    • 依托单位：
      Tohoku University
    New Developments in Oxide Semiconductors; Material Science and Device Technology of Narrow-Gap Wurtzite Oxides
    • 批准号：
      17H01315
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $27.96万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      Omata Takahisa
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Developing of solid state electrolytes for intermediate temperature fuel cells; Exploring of new materials using high-temperature alkali-proton substitution technique
    海外基金