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New Developments in Oxide Semiconductors; Material Science and Device Technology of Narrow-Gap Wurtzite Oxides

New Developments in Oxide Semiconductors; Material Science and Device Technology of Narrow-Gap Wurtzite Oxides
氧化物半导体的新进展；
批准号：
17H01315
负责人：
Omata Takahisa
金额：
$27.96万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2021-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-17H01315/
关键词：
結晶成長セラミックス先端機能デバイス光物性

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Technical University of Darmstadt(ドイツ)
达姆施塔特工业大学（德国）
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Comprehensive first-principles study of AgGaO<sub>2</sub> and CuGaO<sub>2</sub> polymorphs
AgGaO<sub>2</sub> 和 CuGaO<sub>2</sub> 多晶型物的综合第一性原理研究
DOI： 10.2109/jcersj2.19025
发表时间： 2019
期刊： Journal of the Ceramic Society of Japan
影响因子： 1.1
作者： [I. Suzuki, Y. Iguchi, C. Sato, H. Yanagi, N. Ohashi, T. Omata]
通讯作者： T. Omata
Wurtzite-type ternary I-III-O2 oxide semiconductors; new materials expanding the energy band gap range covered by oxide semiconductors
纤锌矿型三元I-III-O2氧化物半导体；
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [永瀬 隆, 小林隆史, 内藤裕義, Takahisa Omata]
通讯作者： Takahisa Omata
三元系ウルツ鉱型酸化物：β-CuGaO2の電子構造とバンドアラインメント
三元纤锌矿氧化物：β-CuGaO2 的电子结构和能带排列
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [鈴木一誓, 大橋直樹, アンドレアス・クライン, 小俣孝久]
通讯作者： 小俣孝久
共 28 条
    Development of novel cathode materials to realize intermediate temperature fuel cells; A major change of the material exploring field
    • 批准号：
      19K22041
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.08万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Omata Takahisa
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Developing of solid state electrolytes for intermediate temperature fuel cells; Exploring of new materials using high-temperature alkali-proton substitution technique
    Ternary wurtzite-type narrow band gap oxide semiconductor; Fabrication of thin-films and application to thin-film solar cells
    海外基金