Formation and reaction control of silicon nanostructures by vacuum thermal decomposition
Formation and reaction control of silicon nanostructures by vacuum thermal decomposition
真空热分解硅纳米结构的形成和反应控制
批准号：
15K04618
负责人：
ENTA YOSHIHARU
金额：
$3.16万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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希釈ガスに水素ガスを用いたプラズマ化学気相成長法によるSi/N共添加ダイヤモンドライクカーボンの膜特性
氢气作为稀释气体等离子化学气相沉积Si/N共掺杂类金刚石碳薄膜特性
氢气作为稀释气体等离子化学气相沉积Si/N共掺杂类金刚石碳薄膜特性
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[中村和樹, 大橋遼, 横山大, 田島圭一郎, 遠藤則史, 末光眞希, 遠田義晴, 中澤日出樹]
通讯作者：
中澤日出樹
Interfacial Structure of Oxynitride Layer on Si(100) with Plasma-Excited N2O
Si(100) 上氮氧化物层与等离子体激发 N2O 的界面结构
Si(100) 上氮氧化物层与等离子体激发 N2O 的界面结构
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
International Journal of Applied and Natural Sciences
影响因子：
--
作者：
[Yoshiharu Enta, Osamu Morimoto, Hiroo Kato, Yasuo Sakisaka, Y. Enta]
通讯作者：
Y. Enta
シリコン酸窒化膜の内殻準位異常シフトに対する表面吸着種の影響
表面吸附物质对氮氧化硅薄膜反常核心能级位移的影响
表面吸附物质对氮氧化硅薄膜反常核心能级位移的影响
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
電子情報通信学会技術研究報告書
影响因子：
--
作者：
[高見 貴弘, 和田 誠, 遠田 義晴]
通讯作者：
遠田 義晴
Effects of nitrogen doping on the chemical bonding states and properties of silicon-doped diamond-like carbon films
氮掺杂对硅掺杂类金刚石碳薄膜化学键态和性能的影响
氮掺杂对硅掺杂类金刚石碳薄膜化学键态和性能的影响
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kazuki Nakamura, Haruka Ohashi, Tai Yokoyama, Kei-ichiro Tajima, Norifumi Endo, Maki Suemitsu, Yoshiharu Enta, Yasuyuki Kobayashi, Hideki Nakazawa]
通讯作者：
Hideki Nakazawa
シリコン酸窒化膜内殻準位異常シフトの解析
氮氧化硅薄膜内层能级偏移异常分析
氮氧化硅薄膜内层能级偏移异常分析
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yoshiharu Enta, Makoto Wada, Mariko Arita, and Takahiro Takami, 遠田 義晴，長内 翔大，小笠原 崇仁, 遠田義晴，永井孝幸，吉田太祐，長内翔大，小笠原崇仁, 高見貴弘，和田誠，遠田義晴]
通讯作者：
高見貴弘，和田誠，遠田義晴
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