Formation and reaction control of silicon nanostructures by vacuum thermal decomposition

真空热分解硅纳米结构的形成和反应控制

• 批准号: 15K04618
• 负责人: ENTA YOSHIHARU
• 金额: $ 3.16万
• 依托单位: Hirosaki University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15K04618/
• 关键词: シリコン酸化膜; 熱脱離; ボイド; ナノ構造; 電子線照射; 還元反応; 電子顕微鏡

项目成果

希釈ガスに水素ガスを用いたプラズマ化学気相成長法によるSi/N共添加ダイヤモンドライクカーボンの膜特性

氢气作为稀释气体等离子化学气相沉积Si/N共掺杂类金刚石碳薄膜特性

• 发表时间: 2016
• 作者: 中村和樹;大橋遼;横山大;田島圭一郎;遠藤則史;末光眞希;遠田義晴;中澤日出樹
• 通讯作者: 中澤日出樹

Interfacial Structure of Oxynitride Layer on Si(100) with Plasma-Excited N2O

Si(100) 上氮氧化物层与等离子体激发 N2O 的界面结构

• 发表时间: 2016
• 期刊: International Journal of Applied and Natural Sciences
• 作者: Yoshiharu Enta;Osamu Morimoto;Hiroo Kato;Yasuo Sakisaka;Y. Enta
• 通讯作者: Y. Enta

シリコン酸窒化膜の内殻準位異常シフトに対する表面吸着種の影響

表面吸附物质对氮氧化硅薄膜反常核心能级位移的影响

• 发表时间: 2015
• 期刊: 電子情報通信学会技術研究報告書
• 作者: 高見 貴弘;和田 誠;遠田 義晴
• 通讯作者: 遠田 義晴

Effects of nitrogen doping on the chemical bonding states and properties of silicon-doped diamond-like carbon films

氮掺杂对硅掺杂类金刚石碳薄膜化学键态和性能的影响

• 发表时间: 2017
• 作者: Kazuki Nakamura;Haruka Ohashi;Tai Yokoyama;Kei-ichiro Tajima;Norifumi Endo;Maki Suemitsu;Yoshiharu Enta;Yasuyuki Kobayashi;Hideki Nakazawa
• 通讯作者: Hideki Nakazawa

シリコン酸窒化膜内殻準位異常シフトの解析

氮氧化硅薄膜内层能级偏移异常分析

• 发表时间: 2015
• 作者: Yoshiharu Enta;Makoto Wada;Mariko Arita;and Takahiro Takami;遠田 義晴，長内 翔大，小笠原 崇仁;遠田義晴，永井孝幸，吉田太祐，長内翔大，小笠原崇仁;高見貴弘，和田誠，遠田義晴
• 通讯作者: 高見貴弘，和田誠，遠田義晴