Study on low-voltage self-oscillation devices based on out-of-plane threshold switching in phase transition oxide thin films
Study on low-voltage self-oscillation devices based on out-of-plane threshold switching in phase transition oxide thin films
基于相变氧化物薄膜面外阈值开关的低压自激振荡器件研究
批准号：
15K04652
负责人：
Okimura Kunio
金额：
$3.16万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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Impact of (111)-oriented TiN conductive layers for the growth of vanadium dioxide films and the effect of grain boundary diffusions
(111)取向TiN导电层对二氧化钒薄膜生长的影响及晶界扩散的影响
(111)取向TiN导电层对二氧化钒薄膜生长的影响及晶界扩散的影响
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
Jouranal of Alloys and Compounds
影响因子：
--
作者：
[omohiro Aoto, Kenta Sato, Md. Suruz Mian, and Kunio Okimura]
通讯作者：
and Kunio Okimura
TiN(111)配向基板の導入による相転移VO2薄膜の配向成長と粒界拡散効果
引入TiN(111)取向衬底相变VO2薄膜的取向生长及晶界扩散效应
引入TiN(111)取向衬底相变VO2薄膜的取向生长及晶界扩散效应
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[青戸 智寛, 沖村 邦雄]
通讯作者：
沖村 邦雄
Growth of VO2 thin films on transparent conductive Al-doped ZnO films on glass substrates
玻璃基板上透明导电Al掺杂ZnO薄膜上VO2薄膜的生长
玻璃基板上透明导电Al掺杂ZnO薄膜上VO2薄膜的生长
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Hoshino, K. Sato, M.S. Mian, Y. Yasumori, and K. Okimura]
通讯作者：
and K. Okimura
DOI：
10.1016/j.tsf.2018.02.024
发表时间：
2018-04
期刊：
Thin Solid Films
影响因子：
2.1
作者：
[Kenta Sato;Hiroaki Hoshino;Md. Suruz Mian;K. Okimura]
通讯作者：
Kenta Sato;Hiroaki Hoshino;Md. Suruz Mian;K. Okimura
DOI：
10.1016/j.tsf.2017.01.022
发表时间：
2017-02
期刊：
Thin Solid Films
影响因子：
2.1
作者：
[Y. Ishii;T. Kaneko;K. Okimura;H. Shindo;M. Isomura]
通讯作者：
Y. Ishii;T. Kaneko;K. Okimura;H. Shindo;M. Isomura
共 30 条
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