Study of terminal structure and electronic band structure of diamond surface by angle-resolved photoelectron spectroscopy
Study of terminal structure and electronic band structure of diamond surface by angle-resolved photoelectron spectroscopy
角分辨光电子能谱研究金刚石表面末端结构和电子能带结构
批准号：
15K04681
负责人：
Nohira Hiroshi
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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高空間分解能HXPESによるGe 2p内殻準位の結合エネルギーに歪みが与える影響の検出
使用高空间分辨率 HXPES 检测应变对 Ge 2p 核心能级结合能的影响
使用高空间分辨率 HXPES 检测应变对 Ge 2p 核心能级结合能的影响
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[佐野 良介, 此島 志織, 滝沢 耕平, 澤野 憲太郎, 野平 博司]
通讯作者：
野平 博司
Study of Epitaxial La2O3 High-k/Ge(111) Interface by X-ray Photoelectron Spectroscopy
X射线光电子能谱研究外延La2O3 High-k/Ge(111)界面
X射线光电子能谱研究外延La2O3 High-k/Ge(111)界面
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takeshi Kanashima, Hiroshi Nohira, Masato Zenitaka, Taro Kobayashi, Riku Yamashiro, Shinya Yamada, Kohei Hamaya]
通讯作者：
Kohei Hamaya
La2xA2(1-x)O3(A=Lu, Y)/La2O3/Ge(111) MIS構造におけるC-V特性の改善
La2xA2(1-x)O3(A=Lu, Y)/La2O3/Ge(111) MIS结构的C-V特性改善
La2xA2(1-x)O3(A=Lu, Y)/La2O3/Ge(111) MIS结构的C-V特性改善
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[金島 岳, 銭高 真人, 山本 圭介, 山城 陸, 只野 純平, 野平 博司, 中島 寛, 山田 晋也, 浜屋 宏平]
通讯作者：
浜屋 宏平
AR-XPSによる4H-SiC (0001)の初期熱酸化過程の研究
AR-XPS研究4H-SiC(0001)的初始热氧化过程
AR-XPS研究4H-SiC(0001)的初始热氧化过程
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[荒井 仁, 野平 博司]
通讯作者：
野平 博司
Angle-resolved Photoelectron Spectroscopy studies of initial stage of thermal oxidation on 4H-SiC (0001)
4H-SiC (0001) 热氧化初始阶段的角分辨光电子能谱研究
4H-SiC (0001) 热氧化初始阶段的角分辨光电子能谱研究
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Arai, H. Nohira]
通讯作者：
H. Nohira
共 15 条
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