Study of terminal structure and electronic band structure of diamond surface by angle-resolved photoelectron spectroscopy

角分辨光电子能谱研究金刚石表面末端结构和电子能带结构

基本信息

  • 批准号：
    15K04681
  • 负责人：
    Nohira Hiroshi
  • 金额：
    $ 2.75万
  • 依托单位：
    Tokyo City University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2015
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2015-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量（0）
高空間分解能HXPESによるGe 2p内殻準位の結合エネルギーに歪みが与える影響の検出
使用高空间分辨率 HXPES 检测应变对 Ge 2p 核心能级结合能的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    佐野 良介;此島 志織;滝沢 耕平;澤野 憲太郎;野平 博司
  • 通讯作者：
    野平 博司
Study of Epitaxial La2O3 High-k/Ge(111) Interface by X-ray Photoelectron Spectroscopy
X射线光电子能谱研究外延La2O3 High-k/Ge(111)界面
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takeshi Kanashima;Hiroshi Nohira;Masato Zenitaka;Taro Kobayashi;Riku Yamashiro;Shinya Yamada;Kohei Hamaya
  • 通讯作者：
    Kohei Hamaya
La2xA2(1-x)O3(A=Lu, Y)/La2O3/Ge(111) MIS構造におけるC-V特性の改善
La2xA2(1-x)O3(A=Lu, Y)/La2O3/Ge(111) MIS结构的C-V特性改善
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    金島 岳;銭高 真人;山本 圭介;山城 陸;只野 純平;野平 博司;中島 寛;山田 晋也;浜屋 宏平
  • 通讯作者：
    浜屋 宏平
AR-XPSによる4H-SiC (0001)の初期熱酸化過程の研究
AR-XPS研究4H-SiC(0001)的初始热氧化过程
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    荒井 仁;野平 博司
  • 通讯作者：
    野平 博司
Angle-resolved Photoelectron Spectroscopy studies of initial stage of thermal oxidation on 4H-SiC (0001)
4H-SiC (0001) 热氧化初始阶段的角分辨光电子能谱研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    H. Arai;H. Nohira
  • 通讯作者：
    H. Nohira
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  • 作者：
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Interface Dipole Modulation in HfO<inf>2</inf>/SiO<inf>2</inf> MOS Stack Structures
HfO<​​inf>2</inf>/SiO<inf>2</inf> MOS 堆栈结构中的界面偶极子调制
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金属/氧化物/氟石墨烯/氧化物/硅电容器的制备及其电荷捕获特性
  • DOI：
    10.35848/1347-4065/acbeb9
  • 发表时间：
    2023
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Kawashima Rino;Nohira Hiroshi;Ishikawa Ryousuke;Mitani Yuichiro
  • 通讯作者：
    Mitani Yuichiro

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    2023
  • 资助金额：
    $ 2.75万
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