Study of the electronic properties of zigzag hexagonal nanopits and point defects on graphene on an atomic scale, and control of the electonic properties of graphene

原子尺度石墨烯锯齿状六角形纳米坑和点缺陷的电子特性研究及石墨烯电子特性的调控

• 批准号: 15K05159
• 负责人: MATSUI TOMOHIRO
• 金额: $ 3万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15K05159/
• 关键词: グラフェン; グラファイト; ジグザグ端状態; スピン偏極ジグザグ端状態; 走査トンネル顕微/分光法; 電気伝導度測定; 電気輸送特性

项目成果

Hexagonal Nanopits with Zigzag Edges on Graphite Surfaces

石墨表面具有锯齿形边缘的六角形纳米坑

• 发表时间: 2017
• 作者: Andre E. B. Amend;佐藤秀樹、松井朋裕、福山寛;Tomohiro Matsui
• 通讯作者: Tomohiro Matsui

STS Studies of Graphite Edges Produced by Hydrogen-plasma Etching

氢等离子体蚀刻石墨边缘的 STS 研究

• 发表时间: 2017
• 作者: Andre E. B. Amend;Tomohiro Matsui;Hideki Sato;Kazuma Kita;Hiroshi Fukuyama
• 通讯作者: Hiroshi Fukuyama

STS Studies of Zigzag Edge State and Quantum Hall Edge State at Graphite Surfaces

石墨表面之字形边缘态和量子霍尔边缘态的 STS 研究

• 发表时间: 2017
• 作者: Tomohiro Matsui;Hideki Sato;Andre E. B. Amend;Kazuma Kita;Hiroshi FUkuyama
• 通讯作者: Hiroshi FUkuyama

STS Studies of Graphene Edges Produced by Hydrogen-plasma Etching

氢等离子体蚀刻产生的石墨烯边缘的 STS 研究

• 发表时间: 2017
• 作者: Andre E. B. Amend;佐藤秀樹、松井朋裕、福山寛
• 通讯作者: 佐藤秀樹、松井朋裕、福山寛

グラフェン・ナノリボンにおけるジグザグ端状態のSTM/S観測

石墨烯纳米带锯齿形边缘态的 STM/S 观察

• 发表时间: 2018
• 作者: 松井朋裕;Andre E. B. Amend;喜田和馬;佐藤秀樹;福山寛
• 通讯作者: 福山寛