High transition temperature in antiferromagnetic Cerium Kondo semiconductor

反铁磁铈近藤半导体的高转变温度

• 批准号: 15K05180
• 负责人: MURO YUJI
• 金额: $ 3万
• 依托单位: Toyama Prefectural University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15K05180/
• 关键词: 磁性; 強相関電子系; セリウム化合物; 近藤半導体; 反強磁性秩序; 異常反強磁性秩序; 元素置換効果; 異方的近藤効果; 局所反転対称性の欠如; 新物質開発; 異方的c-f混成

项目成果

一軸圧力によるCeT2Al10(T=Ru, Os)のTNの異方的変化

单轴压力引起的 CeT2Al10 (T=Ru, Os) TN 的各向异性变化

• 发表时间: 2018
• 作者: Pfaff F.;Fujiwara H.;Berner G.;Yamasaki A.;Niwa H.;Kiuchi H.;Gloskovskii A.;Drube W.;Gabel J.;Kirilmaz O.;Sekiyama A.;Miyawaki J.;Harada Y.;Suga S.;Sing M.;Claessen R.;竹内崇志,林慶介,梅尾和則,室裕司,高畠敏郎
• 通讯作者: 竹内崇志,林慶介,梅尾和則,室裕司,高畠敏郎

3p-hole doping effect on the unusual antiferromagnetic transition in the Kondo semiconductor CeRu2Al10

3p 空穴掺杂对近藤半导体 CeRu2Al10 异常反铁磁转变的影响

• 发表时间: 2017
• 作者: Y. Muro;T. Fukuhara;T. Kuwai;K. Hayashi;T. Takabatake
• 通讯作者: T. Takabatake

反強磁性近藤半導体CeOs2Al10の三段ギャップ構造に対するLa希釈効果

La稀释效应对反铁磁近藤半导体CeOs2Al10三阶能隙结构的影响

• 发表时间: 2016
• 作者: 川端丈;浴野稔一;岡田泰洋;山田義大;杉本暁;室裕司;高畠敏郎
• 通讯作者: 高畠敏郎

Interplay between hybridization gaps and antiferromagnetic gap in the hole-doped Kondo semiconductor Ce(Os1-yRey)2Al10

空穴掺杂近藤半导体 Ce(Os1-yRey)2Al10 中杂化能隙与反铁磁能隙之间的相互作用

• 发表时间: 2017
• 期刊: Journal of Physics: Conference Series
• 作者: J. Kawabata;T. Ekino;Y. Yamada;A.Sugimoto;Y. Muro;T. Takabatake
• 通讯作者: T. Takabatake

ケルン大学(ドイツ)

科隆大学（德国）