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Study on super wide band gap semiconductor toward fabrication of high power electric devices operating at high frequency

Study on super wide band gap semiconductor toward fabrication of high power electric devices operating at high frequency
超宽带隙半导体应用于高频大功率电子器件的研究
批准号:
15K05990
负责人:
OISHI Toshiyuki
金额:
$3.16万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-04-01 至 2018-03-31

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ようこそ大石(敏)研究室へ
欢迎来到大石聪实验室
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
佐賀大学 大学院研究科 電気電子工学専攻 大石研究室
佐贺大学研究生院电气电子工学科大石研究所
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
DOI: 10.1109/led.2016.2626380
发表时间: 2017
期刊: IEEE Electron Device Letters
影响因子: 4.9
作者: [T. Oishi;Naoto Kawano;Satoshi Masuya;M. Kasu]
通讯作者: T. Oishi;Naoto Kawano;Satoshi Masuya;M. Kasu
酸化ガリウムダイオードを用いたレクテナ回路動作
使用氧化镓二极管的整流天线电路操作
DOI: --
发表时间: 2016
期刊:
影响因子: --
作者: [舟木浩祐, 石松裕真, 桝谷聡士, 大島孝仁, 嘉数誠, 大石敏之, 石松 裕真 舟木 浩祐 桝谷 聡士 宮崎 恭輔 大島 孝仁 嘉数 誠 大石 敏之, 舟木 浩祐,石松 裕真,桝谷 聡士,宮崎 恭輔,大島 孝仁,嘉数 誠,大石 敏之, 大石 敏之,河野 直士,嘉数 誠, 大石 敏之,河野 直士,嘉数 誠, 河野 直士,大島 孝仁,嘉数 誠,大石 敏之]
通讯作者: 河野 直士,大島 孝仁,嘉数 誠,大石 敏之
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