Robust ultra-low voltage LSI design technology
Robust ultra-low voltage LSI design technology
稳健的超低压LSI设计技术
批准号：
15K06036
负责人：
Yanagisawa Masao
金额：
$3.16万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
15nmプロセスにおける低電力な耐ソフトエラーラッチの設計
15nm工艺低功耗抗软错误锁存器设计
15nm工艺低功耗抗软错误锁存器设计
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[田島咲季, 史又華, 戸川望, 柳澤政生]
通讯作者：
柳澤政生
高速かつ低電力なソフトエラー耐性をもつFast-SEHラッチの設計
高速、低功耗、软容错的Fast-SEH锁存器设计
高速、低功耗、软容错的Fast-SEH锁存器设计
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[田島咲季, 史又華, 戸川望, 柳澤政生]
通讯作者：
柳澤政生
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Saki Tajima, Nozomu Togawa, Masao Yanagisawa, and Youhua Shi]
通讯作者：
and Youhua Shi
C-element を用いたソフトエラー耐性をもつSHCラッチの設計
使用 C 元素设计具有软容错功能的 SHC 锁存器
使用 C 元素设计具有软容错功能的 SHC 锁存器
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[田島咲季, 史又華, 戸川望, 柳澤政生]
通讯作者：
柳澤政生
DOI：
10.1109/asicon.2015.7516885
发表时间：
2015-11
期刊：
2015 IEEE 11th International Conference on ASIC (ASICON)
影响因子：
--
作者：
[Saki Tajima;Youhua Shi;N. Togawa;M. Yanagisawa]
通讯作者：
Saki Tajima;Youhua Shi;N. Togawa;M. Yanagisawa
Robust LSI design technology against invasion
-
批准号：19K11886
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
-
资助金额：$2.75万
-
财政年份：2019
-
负责人：Yanagisawa Masao
-
依托单位：