Realization of n-type AlN by clarifying the mechanism of point defect formation in bulk AlN crystal

通过阐明块状 AlN 晶体中点缺陷形成的机制实现 n 型 AlN

基本信息

  • 批准号:
    15H03555
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 10.98万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2015
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2015-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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Defect selective etching of MOVPE grown AlN and HVPE grown bulk AlN substrates in a molten KOH/NaOH eutectic
在熔融 KOH/NaOH 共晶中对 MOVPE 生长的 AlN 和 HVPE 生长的块状 AlN 衬底进行缺陷选择性蚀刻
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Mari Higuchi;Taro Mitsui;Toru Nagashima;Reo Yamamoto;Keita Konishi;Galia Pozina;Rafael Dalmau;Raoul Schlesser;Ramon Collazo;Bo Monemar;Zlatko Sitar;and Yoshinao Kumagai
  • 通讯作者:
    and Yoshinao Kumagai
Wet chemical etching of MOVPE-AlN templates for evaluation of threading dislocations
MOVPE-AlN 模板的湿法化学蚀刻用于评估螺纹位错
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Taro Mitsui;Mari Higuchi;Toru Nagashima;Toru Kinoshita;Reo Yamamoto;Bo Monemar;and Yoshinao Kumagai
  • 通讯作者:
    and Yoshinao Kumagai
エッチピットを用いたHVPE-AlN基板の貫通転位評価
使用蚀刻坑评估 HVPE-AlN 基板的螺纹位错
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Yamaguchi;Tomohiro Mori;Takeshi Mori;M. Fujii;Y. Tanaka;Y. Suzaki;樋口真里,三井太朗,永島徹,山本玲緒,小西敬太,Galia Pozina,Rafael Dalmau,Raoul Schlesser,Ramon Collazo,Bo Monemar,Zlatko Sitar,熊谷義直
  • 通讯作者:
    樋口真里,三井太朗,永島徹,山本玲緒,小西敬太,Galia Pozina,Rafael Dalmau,Raoul Schlesser,Ramon Collazo,Bo Monemar,Zlatko Sitar,熊谷義直
Influence of ambient oxygen on Si incorporation during hydride vapor phase epitaxy of AlN at high temperature
环境氧气对AlN高温氢化物气相外延过程中Si掺入的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Keita Konishi;Reo Yamamoto;Rie Togashi;Toru Nagashima;Rafael Dalmau;Raoul Schlesser;Hisashi Murakami;Ramon Collazo;Bo Monemar;Zlatko Sitar;and Yoshinao Kumagai
  • 通讯作者:
    and Yoshinao Kumagai
HVPE法によるn型AlN基板作製と縦型ショットキーダイオードへの適用
HVPE法制备n型AlN衬底及其在立式肖特基二极管中的应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    伊藤優佑;元垣内敦司;三宅秀人;平松和政;山本玲緒,木下亨,永島徹,小幡俊之,高島信也,富樫理恵,熊谷義直,Raoul Schlesser,Ramon Collazo,纐纈明伯,Zlatko Sitar
  • 通讯作者:
    山本玲緒,木下亨,永島徹,小幡俊之,高島信也,富樫理恵,熊谷義直,Raoul Schlesser,Ramon Collazo,纐纈明伯,Zlatko Sitar
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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Observation of nanopipes in edge-defined film-fed grown β-Ga2O3 substrate and their effect on homoepitaxial surface hillocks
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    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Nishikawa Tomoka;Goto Ken;Murakami Hisashi;Kumagai Yoshinao;Uemukai Masahiro;Tanikawa Tomoyuki;Katayama Ryuji
  • 通讯作者:
    Katayama Ryuji
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  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Iwamoto Toshiyuki;Agulto Verdad C.;Liu Shuang;Wang Youwei;Mag-usara Valynn Katrine;Fujii Takashi;Goto Ken;Kumagai Yoshinao;Nakajima Makoto
  • 通讯作者:
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  • DOI:
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  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yamaguchi Akira;Oozeki Daisuke;Kawamoto Naoya;Takekawa Nao;Bulsara Mayank;Murakami Hisashi;Kumagai Yoshinao;Matsumoto Koh;Koukitu Akinori
  • 通讯作者:
    Koukitu Akinori
バイオマーカーの オンチップ計測に向けたグラフェン型表面応力センサによる電気的分子検出の検討
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  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Iwamoto Toshiyuki;Agulto Verdad C.;Liu Shuang;Wang Youwei;Mag-usara Valynn Katrine;Fujii Takashi;Goto Ken;Kumagai Yoshinao;Nakajima Makoto;新野 謙,古澤 絵里子,前田 智也,容俊 崔,野田 俊彦,澤田 和明,高橋 一浩
  • 通讯作者:
    新野 謙,古澤 絵里子,前田 智也,容俊 崔,野田 俊彦,澤田 和明,高橋 一浩

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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  • 资助金额:
    $ 10.98万
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  • 批准号:
    23KJ1107
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 10.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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    22KJ2441
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 10.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
{{ showInfoDetail.title }}

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知道了