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Realization of n-type AlN by clarifying the mechanism of point defect formation in bulk AlN crystal

通过阐明块状 AlN 晶体中点缺陷形成的机制实现 n 型 AlN

基本信息

批准号：
15H03555
负责人：
Kumagai Yoshinao
金额：
$ 10.98万
依托单位：
Tokyo University of Agriculture and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Defect selective etching of MOVPE grown AlN and HVPE grown bulk AlN substrates in a molten KOH/NaOH eutectic

在熔融 KOH/NaOH 共晶中对 MOVPE 生长的 AlN 和 HVPE 生长的块状 AlN 衬底进行缺陷选择性蚀刻

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Mari Higuchi;Taro Mitsui;Toru Nagashima;Reo Yamamoto;Keita Konishi;Galia Pozina;Rafael Dalmau;Raoul Schlesser;Ramon Collazo;Bo Monemar;Zlatko Sitar;and Yoshinao Kumagai
通讯作者：
and Yoshinao Kumagai

Wet chemical etching of MOVPE-AlN templates for evaluation of threading dislocations

MOVPE-AlN 模板的湿法化学蚀刻用于评估螺纹位错

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Taro Mitsui;Mari Higuchi;Toru Nagashima;Toru Kinoshita;Reo Yamamoto;Bo Monemar;and Yoshinao Kumagai
通讯作者：
and Yoshinao Kumagai

エッチピットを用いたHVPE-AlN基板の貫通転位評価

使用蚀刻坑评估 HVPE-AlN 基板的螺纹位错

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Yamaguchi;Tomohiro Mori;Takeshi Mori;M. Fujii;Y. Tanaka;Y. Suzaki;樋口真里，三井太朗，永島徹，山本玲緒，小西敬太，Galia Pozina，Rafael Dalmau，Raoul Schlesser，Ramon Collazo，Bo Monemar，Zlatko Sitar，熊谷義直
通讯作者：
樋口真里，三井太朗，永島徹，山本玲緒，小西敬太，Galia Pozina，Rafael Dalmau，Raoul Schlesser，Ramon Collazo，Bo Monemar，Zlatko Sitar，熊谷義直

Influence of ambient oxygen on Si incorporation during hydride vapor phase epitaxy of AlN at high temperature

环境氧气对AlN高温氢化物气相外延过程中Si掺入的影响

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Keita Konishi;Reo Yamamoto;Rie Togashi;Toru Nagashima;Rafael Dalmau;Raoul Schlesser;Hisashi Murakami;Ramon Collazo;Bo Monemar;Zlatko Sitar;and Yoshinao Kumagai
通讯作者：
and Yoshinao Kumagai

HVPE法によるn型AlN基板作製と縦型ショットキーダイオードへの適用

HVPE法制备n型AlN衬底及其在立式肖特基二极管中的应用

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
伊藤優佑;元垣内敦司;三宅秀人;平松和政;山本玲緒，木下亨，永島徹，小幡俊之，高島信也，富樫理恵，熊谷義直，Raoul Schlesser，Ramon Collazo，纐纈明伯，Zlatko Sitar
通讯作者：
山本玲緒，木下亨，永島徹，小幡俊之，高島信也，富樫理恵，熊谷義直，Raoul Schlesser，Ramon Collazo，纐纈明伯，Zlatko Sitar

DOI：
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作者：
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Kumagai Yoshinao其他文献

Observation of nanopipes in edge-defined film-fed grown β-Ga2O3 substrate and their effect on homoepitaxial surface hillocks

边缘限定薄膜馈送生长 β-Ga2O3 衬底中纳米管的观察及其对同质外延表面小丘的影响

DOI：
10.35848/1347-4065/acc18e
发表时间：
2023
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Nishikawa Tomoka;Goto Ken;Murakami Hisashi;Kumagai Yoshinao;Uemukai Masahiro;Tanikawa Tomoyuki;Katayama Ryuji
通讯作者：
Katayama Ryuji

Characterization of electrical properties of β-Ga2O3 epilayer and bulk GaAs using terahertz time-domain ellipsometry

使用太赫兹时域椭圆光度法表征 β-Ga2O3 外延层和体 GaAs 的电性能

DOI：
10.35848/1347-4065/acbc84
发表时间：
2023
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Iwamoto Toshiyuki;Agulto Verdad C.;Liu Shuang;Wang Youwei;Mag-usara Valynn Katrine;Fujii Takashi;Goto Ken;Kumagai Yoshinao;Nakajima Makoto
通讯作者：
Nakajima Makoto

Growth of Highly Crystalline GaN at High Growth Rate by Trihalide Vapor‐Phase Epitaxy

通过三卤化物气相外延以高生长速率生长高结晶 GaN

DOI：
10.1002/pssb.201900564
发表时间：
2020
期刊：
physica status solidi (b)
影响因子：
0
作者：
Yamaguchi Akira;Oozeki Daisuke;Kawamoto Naoya;Takekawa Nao;Bulsara Mayank;Murakami Hisashi;Kumagai Yoshinao;Matsumoto Koh;Koukitu Akinori
通讯作者：
Koukitu Akinori

バイオマーカーのオンチップ計測に向けたグラフェン型表面応力センサによる電気的分子検出の検討

使用基于石墨烯的表面应力传感器进行生物标记物片上测量的电分子检测研究

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Iwamoto Toshiyuki;Agulto Verdad C.;Liu Shuang;Wang Youwei;Mag-usara Valynn Katrine;Fujii Takashi;Goto Ken;Kumagai Yoshinao;Nakajima Makoto;新野謙,古澤絵里子,前田智也,容俊崔,野田俊彦,澤田和明,高橋一浩
通讯作者：
新野謙,古澤絵里子,前田智也,容俊崔,野田俊彦,澤田和明,高橋一浩