Realization of n-type AlN by clarifying the mechanism of point defect formation in bulk AlN crystal
Realization of n-type AlN by clarifying the mechanism of point defect formation in bulk AlN crystal
通过阐明块状 AlN 晶体中点缺陷形成的机制实现 n 型 AlN
批准号：
15H03555
负责人：
Kumagai Yoshinao
金额：
$10.98万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Defect selective etching of MOVPE grown AlN and HVPE grown bulk AlN substrates in a molten KOH/NaOH eutectic
在熔融 KOH/NaOH 共晶中对 MOVPE 生长的 AlN 和 HVPE 生长的块状 AlN 衬底进行缺陷选择性蚀刻
在熔融 KOH/NaOH 共晶中对 MOVPE 生长的 AlN 和 HVPE 生长的块状 AlN 衬底进行缺陷选择性蚀刻
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Mari Higuchi, Taro Mitsui, Toru Nagashima, Reo Yamamoto, Keita Konishi, Galia Pozina, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Ramon Collazo, Bo Monemar, Zlatko Sitar, and Yoshinao Kumagai]
通讯作者：
and Yoshinao Kumagai
Wet chemical etching of MOVPE-AlN templates for evaluation of threading dislocations
MOVPE-AlN 模板的湿法化学蚀刻用于评估螺纹位错
MOVPE-AlN 模板的湿法化学蚀刻用于评估螺纹位错
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Taro Mitsui, Mari Higuchi, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Reo Yamamoto, Bo Monemar, and Yoshinao Kumagai]
通讯作者：
and Yoshinao Kumagai
エッチピットを用いたHVPE-AlN基板の貫通転位評価
使用蚀刻坑评估 HVPE-AlN 基板的螺纹位错
使用蚀刻坑评估 HVPE-AlN 基板的螺纹位错
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Yamaguchi, Tomohiro Mori, Takeshi Mori, M. Fujii, Y. Tanaka, Y. Suzaki, 樋口真里，三井太朗，永島徹，山本玲緒，小西敬太，Galia Pozina，Rafael Dalmau，Raoul Schlesser，Ramon Collazo，Bo Monemar，Zlatko Sitar，熊谷義直]
通讯作者：
樋口真里，三井太朗，永島徹，山本玲緒，小西敬太，Galia Pozina，Rafael Dalmau，Raoul Schlesser，Ramon Collazo，Bo Monemar，Zlatko Sitar，熊谷義直
Influence of ambient oxygen on Si incorporation during hydride vapor phase epitaxy of AlN at high temperature
环境氧气对AlN高温氢化物气相外延过程中Si掺入的影响
环境氧气对AlN高温氢化物气相外延过程中Si掺入的影响
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Keita Konishi, Reo Yamamoto, Rie Togashi, Toru Nagashima, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Hisashi Murakami, Ramon Collazo, Bo Monemar, Zlatko Sitar, and Yoshinao Kumagai]
通讯作者：
and Yoshinao Kumagai
HVPE法によるn型AlN基板作製と縦型ショットキーダイオードへの適用
HVPE法制备n型AlN衬底及其在立式肖特基二极管中的应用
HVPE法制备n型AlN衬底及其在立式肖特基二极管中的应用
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[伊藤優佑, 元垣内敦司, 三宅秀人, 平松和政, 山本玲緒，木下亨，永島徹，小幡俊之，高島信也，富樫理恵，熊谷義直，Raoul Schlesser，Ramon Collazo，纐纈明伯，Zlatko Sitar]
通讯作者：
山本玲緒，木下亨，永島徹，小幡俊之，高島信也，富樫理恵，熊谷義直，Raoul Schlesser，Ramon Collazo，纐纈明伯，Zlatko Sitar
共 16 条
海外基金