Material design for oxide thin film transistor controlled by anti-doping scheme
Material design for oxide thin film transistor controlled by anti-doping scheme
反掺杂方案控制的氧化物薄膜晶体管材料设计
批准号：
15H03568
负责人：
TSUKAGOSHI KAZUHITO
金额：
$10.65万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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Silicon induced Metal Oxide thin film transistor
硅感应金属氧化物薄膜晶体管
硅感应金属氧化物薄膜晶体管
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Tsukagoshi, K. Kizu, S.Aikawa, T.Nabatame,]
通讯作者：
T.Nabatame,
Nanjing University(China)
南京大学（中国）
南京大学（中国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Nanoscale material transport for future electronics
未来电子产品的纳米材料传输
未来电子产品的纳米材料传输
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[中西航平, 西上美佐子, 冨田昌弘, 湊元幹太, 熊木 雄貴 成塚 重弥 下村 勝, Satoshi Watanabe, Kazuhito Tsukagoshi]
通讯作者：
Kazuhito Tsukagoshi
DOI：
10.1063/1.4959822
发表时间：
2016-07-28
期刊：
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子：
3.2
作者：
[Kizu, Takio, Aikawa, Shinya, Tsukagoshi, Kazuhito]
通讯作者：
Tsukagoshi, Kazuhito
1.Radial Interference Contrast in in-situ SEM Observation of Metal Oxide Semiconductor Film Crystallization
1.金属氧化物半导体薄膜结晶的原位SEM观察中的径向干涉对比
1.金属氧化物半导体薄膜结晶的原位SEM观察中的径向干涉对比
DOI：
10.1017/s1431927617008224
发表时间：
2017
期刊：
Microscopy and Microanalysis
影响因子：
2.8
作者：
[Kunji Shigeto, Takio Kizu, Kazuhito Tsukagoshi, Toshihide Nabatame,]
通讯作者：
Toshihide Nabatame,
共 6 条