Material design for oxide thin film transistor controlled by anti-doping scheme

反掺杂方案控制的氧化物薄膜晶体管材料设计

• 批准号: 15H03568
• 负责人: TSUKAGOSHI KAZUHITO
• 金额: $ 10.65万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H03568/
• 关键词: 半導体物性; 先端機能デバイス; 表面・界面物性; 酸化膜半導体; 酸素欠損; ドーピング

项目成果

Silicon induced Metal Oxide thin film transistor

硅感应金属氧化物薄膜晶体管

• 发表时间: 2017
• 作者: K. Tsukagoshi;K. Kizu;S.Aikawa;T.Nabatame,
• 通讯作者: T.Nabatame,

Nanjing University(China)

南京大学（中国）

Nanoscale material transport for future electronics

未来电子产品的纳米材料传输

• 发表时间: 2017
• 作者: 中西航平;西上美佐子;冨田昌弘;湊元幹太;熊木 雄貴 成塚 重弥 下村 勝;Satoshi Watanabe;Kazuhito Tsukagoshi
• 通讯作者: Kazuhito Tsukagoshi

Homogeneous double-layer amorphous Si-doped indium oxide thin-film transistors for control of turn-on voltage

• DOI: 10.1063/1.4959822
• 发表时间: 2016-07-28
• 期刊: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
• 影响因子: 3.2
• 作者: Kizu, Takio;Aikawa, Shinya;Tsukagoshi, Kazuhito
• 通讯作者: Tsukagoshi, Kazuhito

1.Radial Interference Contrast in in-situ SEM Observation of Metal Oxide Semiconductor Film Crystallization

1.金属氧化物半导体薄膜结晶的原位SEM观察中的径向干涉对比

• DOI: 10.1017/s1431927617008224
• 发表时间: 2017
• 期刊: Microscopy and Microanalysis
• 影响因子: 2.8
• 作者: Kunji Shigeto;Takio Kizu;Kazuhito Tsukagoshi;Toshihide Nabatame,
• 通讯作者: Toshihide Nabatame,