Atomic precise control of dot material system to induce electronic correlation
Atomic precise control of dot material system to induce electronic correlation
原子精确控制点材料系统以诱导电子关联
批准号：
15H05406
负责人：
Satoh Norifusa
金额：
$15.31万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2019-03-31
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Insight into molecular electronics: Marcus theory to explain the diode properties in dye-sensitized solar cell
洞察分子电子学：马库斯理论解释染料敏化太阳能电池中的二极管特性
洞察分子电子学：马库斯理论解释染料敏化太阳能电池中的二极管特性
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[J. Nozaki, Y. Kobayashi, Y. Miyata, Y. Maniwa, K. Watanabe, T. Taniguchi, K. Yanagi, 今井正司, 富田望・今井正司, Norifusa Satoh]
通讯作者：
Norifusa Satoh
Bio-inspired atomitectonics for atomic precise oxide dot array
用于原子精确氧化物点阵列的仿生原子构造学
用于原子精确氧化物点阵列的仿生原子构造学
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Hachiya, S. Okudaira, Y. Konno, Y. Maeda, K. Matsuda, Y. Miyauchi, 熊野宏昭（座長）・今井正司（演者）・瀬口篤史（演者）, Norifusa Satoh]
通讯作者：
Norifusa Satoh
DOI：
10.4028/www.scientific.net/ssp.257.156
发表时间：
2016-10
期刊：
Solid State Phenomena
影响因子：
--
作者：
[Norifusa Satoh]
通讯作者：
Norifusa Satoh
Uniform wide-angle spray technique in a vacuum towards atomically precise dot deposition in ALD chamber
真空中的均匀广角喷涂技术可在 ALD 室中实现原子级精确的点沉积
真空中的均匀广角喷涂技术可在 ALD 室中实现原子级精确的点沉积
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Q. Wang, R. Kitaura, S. Suzuki, Y. Miyauchi, K. Matsuda, Y. Yamamoto, S. Arai, H. Shinohara, 今井正司・伊與田万実, Norifusa Satoh]
通讯作者：
Norifusa Satoh
Atomically precise dot towards material innovation
实现材料创新的原子级精确点
实现材料创新的原子级精确点
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Koirala, S. Mouri, Y. Miyauchi, K. Matsuda, 伊與田万実・今井正司, Norifusa Satoh]
通讯作者：
Norifusa Satoh
共 17 条
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