Development of anion-doped oxide epitaxy
Development of anion-doped oxide epitaxy
阴离子掺杂氧化物外延的发展
批准号：
15H05424
负责人：
Chikamatsu Akira
金额：
$15.97万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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DOI：
10.1063/1.4935190
发表时间：
2015-10
期刊：
AIP Advances
影响因子：
1.6
作者：
[T. Katayama;A. Chikamatsu;Hideyuki Kamisaka;Y. Yokoyama;Y. Hirata;H. Wadati;T. Fukumura;T. Hasegawa]
通讯作者：
T. Katayama;A. Chikamatsu;Hideyuki Kamisaka;Y. Yokoyama;Y. Hirata;H. Wadati;T. Fukumura;T. Hasegawa
Aサイト秩序型ペロブスカイト構造YBaCo2O6薄膜の合成と巨大磁気異方性、及びスピン状態遷移の観測
A位有序钙钛矿结构YBaCo2O6薄膜的合成及巨磁各向异性和自旋态转变的观察
A位有序钙钛矿结构YBaCo2O6薄膜的合成及巨磁各向异性和自旋态转变的观察
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[片山 司, 近松 彰, 廣瀬 靖, 簔原 誠人, 組頭 広志, 原山 勲, 関場 大一郎, 長谷川 哲也]
通讯作者：
長谷川 哲也
トポタクティックフッ素化反応を用いた鉄酸フッ化物／ルテニウム酸化物へテロ構造の作製
拓扑氟化反应制备氟氧化铁/氧化钌异质结构
拓扑氟化反应制备氟氧化铁/氧化钌异质结构
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[鈴木 雄介, 近松 彰, 小野塚 智也, 長谷川 哲也]
通讯作者：
長谷川 哲也
トポタクティック反応を用いた複合アニオン酸化物エピタキシー
使用拓扑反应的复合阴离子氧化物外延
使用拓扑反应的复合阴离子氧化物外延
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[佐藤 翔太, 坂本 雅仁, 新田 紀子, 劉 麗, E. K. C. プラディープ, 鄧 太 江, 川原村 敏幸, 近松 彰]
通讯作者：
近松 彰
層状ペロブスカイト型酸フッ化物Sr2RuO3F2薄膜の物性と電子状態
层状钙钛矿型氟氧化物Sr2RuO3F2薄膜的物理性质和电子态
层状钙钛矿型氟氧化物Sr2RuO3F2薄膜的物理性质和电子态
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[近松 彰, 倉内 裕史, 小野塚 智也, 簔原 誠人, 組頭 広志, 池永 英司, 長谷川 哲也]
通讯作者：
長谷川 哲也
共 39 条
Development of optical functions in transition-metal mixed-anion oxide thin films
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批准号：19H02594
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.32万
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财政年份：2019
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负责人：Chikamatsu Akira
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依托单位：
海外基金