Creation of Ultra-low Power-consumption Semiconductor Membrane Photonic Integrated Circuits toward On-chip Optical Interconnections
Creation of Ultra-low Power-consumption Semiconductor Membrane Photonic Integrated Circuits toward On-chip Optical Interconnections
批准号:
15H05763
负责人:
Arai Shigehisa
金额:
$127.46万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-05-29 至 2019-03-31
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多層光回路に向けたダブルテーパ型層間結合器の設計
多层光路双锥层间耦合器设计
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[伊東 憲人, 林侑介, 鈴木純一, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久]
通讯作者:
荒井滋久
Numerical Analysis of Saturable Absorption Characteristics in III-V/SOI Hybrid Lasers Fabricated by N2 Plasma Activated Bonding
N2 等离子体激活键合 III-V/SOI 混合激光器饱和吸收特性的数值分析
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y. Hayashi, J. Suzuki, S. Inoue, H. Shovon, Y. Kuno, K. Ito, T. Amemiya, N. Nishiyama, and S. Arai]
通讯作者:
and S. Arai
Improvement of Thermal Process Tolerance of Directly Bonded GaInAsP/SOI Wafer by Stressed SiNx Deposition
通过应力 SiNx 沉积提高直接键合 GaInAsP/SOI 晶圆的热加工耐受性
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S. Inoue, H. Shovon, J. Suzuki, Y. Hayashi, T. Amemiya, N. Nishiyama, and S. Arai, “Improvement of Thermal Process Tolerance of Directly Bonded GaInAsP/SOI Wafer by Stressed SiNx Deposition]
通讯作者:
“Improvement of Thermal Process Tolerance of Directly Bonded GaInAsP/SOI Wafer by Stressed SiNx Deposition
DOI:
10.7567/apex.8.112701
发表时间:
2015
期刊:
Applied Physics Express
影响因子:
2.3
作者:
[Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Takahiro Tomiyasu, Yuki Atsuji, Kai Fukuda, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai]
通讯作者:
Shigehisa Arai
Low Threshold Current Operation of Membrane DFB Laser with Surface Grating Bonded on Si Substrate
硅衬底表面光栅薄膜DFB激光器的低阈值电流工作
DOI:
10.7567/jjap.54.080301
发表时间:
2015
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子:
1.5
作者:
[Yuki Atsuji, Kyohei Doi, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Jieun Lee, Yuki Atsumi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai]
通讯作者:
Shigehisa Arai
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