イオン支援パルスプラズマ活用単層カーボンナノチューブの完全カイラリティ制御合成
イオン支援パルスプラズマ活用単層カーボンナノチューブの完全カイラリティ制御合成
批准号:
15J01481
负责人:
許 斌
金额:
$2.18万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-04-24 至 2018-03-31
中文摘要
三年計画の最終年度における今年度は,カイラリティ制御単層カーボンナノチューブ(SWNTs)合成実現に向け,系統的実験と理論解析を合わせて,触媒前処理によるSWNTsのカイラリティ選択機構の解明に関する研究を行った.1.触媒前処理による成長活性化エネルギー変化.前年度までの研究では,微量ガス添加触媒前処理方法により触媒表面酸化度合を変化させることで,(6,4)SWNTsと(6,5)SWNTsの存在比制御を実現した.今年度はさらなる詳細な機構を解明するために研究を行った.触媒の表面状態変化に伴い,SWNTsの成長活性化エネルギーEaの変化を実験的に測定したところ,前処理により,SWNTsのEaが大幅に増加し,(6,4)SWNTsと(6,5)SWNTsの活性化エネルギーの差ΔEaも前処理により増加することが判明した.この結果より,カイラリティ選択性の変化はSWNTsの活性化エネルギー制御によるものであることが明らかとなった.2.理論的計算によるカイラリティ選択機構解明.活性化エネルギーの変化がカイラリティ選択性に与える効果の詳細を明らかにするために,第一原理計算によって検討した.キャップ形成段階において,前処理により,キャップ形成に必要なリフトオフエネルギーEBC-M が増加し,特に,キャップ中に炭素数の多い(6,5)SWNTsのEBC-Mがより大きく増大することが判明した.この計算結果より, (6,5)SWNTsが(6,4)SWNTsに比べより大きくキャップ形成確率が低下することが説明できる.次に,キャップ形成後SWNTsが軸方向に成長する段階において,最も高い合成効率を示すSWNTsのカイラル角xが高角度側へシフトする理論計算結果が得られた.この結果より,大きいカイラル角xをもつ (6,4)SWNTsの優先的合成が説明できることが明らかとなった.
英文摘要
三年計画の最終年度における今年度は,カイラリティ制御単層カーボンナノチューブ(SWNTs)合成実現に向け,系統的実験と理論解析を合わせて,触媒前処理によるSWNTsのカイラリティ選択機構の解明に関する研究を行った.1.触媒前処理による成長活性化エネルギー変化.前年度までの研究では,微量ガス添加触媒前処理方法により触媒表面酸化度合を変化させることで,(6,4)SWNTsと(6,5)SWNTsの存在比制御を実現した.今年度はさらなる詳細な機構を解明するために研究を行った.触媒の表面状態変化に伴い,SWNTsの成長活性化エネルギーEaの変化を実験的に測定したところ,前処理により,SWNTsのEaが大幅に増加し,(6,4)SWNTsと(6,5)SWNTsの活性化エネルギーの差ΔEaも前処理により増加することが判明した.この結果より,カイラリティ選択性の変化はSWNTsの活性化エネルギー制御によるものであることが明らかとなった.2.理論的計算によるカイラリティ選択機構解明.活性化エネルギーの変化がカイラリティ選択性に与える効果の詳細を明らかにするために,第一原理計算によって検討した.キャップ形成段階において,前処理により,キャップ形成に必要なリフトオフエネルギーEBC-M が増加し,特に,キャップ中に炭素数の多い(6,5)SWNTsのEBC-Mがより大きく増大することが判明した.この計算結果より, (6,5)SWNTsが(6,4)SWNTsに比べより大きくキャップ形成確率が低下することが説明できる.次に,キャップ形成後SWNTsが軸方向に成長する段階において,最も高い合成効率を示すSWNTsのカイラル角xが高角度側へシフトする理論計算結果が得られた.この結果より,大きいカイラル角xをもつ (6,4)SWNTsの優先的合成が説明できることが明らかとなった.
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Effects of Time Parameter in Pulse Plasma CVD on Narrow-Chirality Distributed growth of Single-Walled Carbon Nanotubes
脉冲等离子体CVD时间参数对单壁碳纳米管窄手性分布生长的影响
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
Proceedings of 9th International Conference on Reactive Plasmas / 68th Gaseous Electronics Conference / 68th Symposium on Plasma Processing(ICRP9/GEC68)
影响因子:
--
作者:
[Bin Xu, Toshiaki Kato, Toshiro Kaneko]
通讯作者:
Toshiro Kaneko
Catalyst structure control towards chirality controlled synthesis of single-walled carbon nanotube with plasma CVD
等离子体CVD手性控制合成单壁碳纳米管的催化剂结构控制
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Bin Xu, Toshiro Kaneko, Toshiaki Kato]
通讯作者:
Toshiaki Kato
Control of catalyst surface states towards synthesis of single chirality single-walled carbon nanotubes using plasma CVD
利用等离子体 CVD 控制催化剂表面状态合成单手性单壁碳纳米管
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Bin Xu, Toshiro Kaneko, Toshiaki Kato]
通讯作者:
Toshiaki Kato
表面機能化触媒を用いたプラズマCVDによる単層カーボンナノチューブのカイラリティ制御合成
使用表面功能化催化剂通过等离子体 CVD 控制手性合成单壁碳纳米管
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Hiroshi Hashizume, Takuya Towatari, Takayuki Ohta, Keigo Takeda, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, and Masafumi Ito, 許 斌,金子 俊郎,加藤 俊顕]
通讯作者:
許 斌,金子 俊郎,加藤 俊顕
High Purity Synthesis of (6,4) Single-Walled Carbon Nanotubes with Plasma CVD
等离子体 CVD 高纯度合成 (6,4) 单壁碳纳米管
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[B. Xu, T. Kaneko, and T. Kato]
通讯作者:
and T. Kato
共 14 条
二次元材料系における革新的なフォノンエンジニアリングの探究と手法確立
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批准号:24K00817
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.9万
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财政年份:2024
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负责人:許 斌
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依托单位:
Elucidatig the mechanism and promoting the thermal conduction at mismatched interface
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批准号:22K14189
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项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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资助金额:$2.83万
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财政年份:2022
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负责人:許 斌
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依托单位: