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低加速走査型電子顕微鏡を用いた単結晶ＳｉＣ三次元原子配列構造の直接評価

使用低加速扫描电子显微镜直接评价单晶SiC的三维原子排列结构

基本信息

批准号：
15J12318
负责人：
芦田晃嗣
金额：
$ 1.09万
依托单位：
Kwansei Gakuin University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-24 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

1. SiC表面数分子層の領域から得られるSEM方位コントラストの生成機構解明本研究では、低加速（≦1keV）SEMで観察される、六方晶SiC{0001}単結晶の最表面数分子層のみの原子配列構造（積層方位）を反映した方位コントラストの生成機構を実験的・理論的観点から検討した。従来、方位コントラストは、電子の侵入深さの大きい高加速(≧10keV)電子線を用いることで得られてきた。この起源は結晶表面下での半無限の周期性を仮定したブロッホモデルによって解釈されてきたが、表面数分子層のみでこうしたコントラストが得られる物理的起源は明らかではなかった。本年度の検討では以下の2点が明らかとなった。(1) 2000℃での高温熱エッチング法により加工歪みを排し、かつ表面全体をヘキサゴナル構造で終端した複数のSiC多形(4H, 6H, 8H)と、近接昇華法にて作製した3C-SiCとを標準試料として用い、同一の観察条件でSEMコントラスト強度を定量評価することで、試料の僅か1分子層の積層周期の違いが敏感に反映されることが実験的に初めて明らかとなった。(2) 得られた定量データは電子線多重散乱理論をクラスターモデルに適用することで再現できた。コントラストの生成に最も寄与するのは非弾性散乱を起こした入射電子線であった。実験的には二次電子の寄与も多分に認められたが、これは反射電子強度にオフセットを与えるものであることが明らかとなった。2. SiCウェハ検査装置としての応用上記1の成果に基づき、本技術をシーズ技術としてNEDO「橋渡し事業」を展開し（申請者：㈱東陽テクニカ）、ウェハ検査装置の開発が行われた。本技術はSiCの高品質化・量産化を目指す複数企業へと試験的に提供され、従来の光学顕微鏡をベースとした評価では取得困難であったSiC表面の質を議論する上での重要な知見をもたらした。

1. In the field of numerical molecules on the surface of SiC, the generation mechanism of numerical molecules on the surface of SiC can be used to explain the theoretical basis of this study, low-acceleration (1keV) SEM observation, hexagonal SiC {0001} crystal, and the configuration of atomic arrays (positive directions) that reflect the theory of the generation mechanism of azimuth. In the near future, the azimuth and the electronic equipment have penetrated into the deep aircrafts and the high acceleration (10keV) power lines have been used in the high speed transmission line to obtain the radar signal. Under the surface of the crystal, there is no limit to the origin of the crystal. The number of molecules on the surface is very important to understand the origin of physics. The following 2: 00 points will be announced this year. (1) at 2000 ℃, the whole surface of the machine is made of complex SiC (4H, 6H). 8H), the proximity method is used as the standard material of the 3C-SiC standard, the same condition, the SEM, the strength, the quantitative, the molecular, the cycle, the sensitivity, the sensitivity. (2) it is necessary to make a quantitative analysis of the theory of multiple dispersion of power lines. This is the most important thing to send to the incident power line due to the non-random distribution. The secondary electricity of the telephone is sent to the telephone, the reflected electricity of the cable, the strength of the reflected electricity, and the strength of the reflected electrons. 2. The SiC equipment will be operated on the basis of the results of the first year, and the Nedo "Ferry Business" will be launched (applicant: applicant), and the equipment will be launched. The purpose of this technology is to improve the quality and quality of the SiC technology. The purpose of this technology is to provide information about the availability of complex data enterprises. In this technology, it is necessary to improve the performance of the system. In this technology, the quality of the technology refers to the provision of information in complex business systems.

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Kinetically controlled growth of uniform (6√3×6√3) R30° graphene precursor layer on 4H-SiC (0001)

4H-SiC 上均匀 (6√3×6√3) R30° 石墨烯前驱体层的动力学控制生长 (0001)

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Daichi Dojima;Yasunori Kutsuma;Koji Ashida;T. Kaneko
通讯作者：
T. Kaneko

Crystallographic orientation dependence of SEM contrast revealed by SiC polytypes

DOI：
10.1116/1.4927136
发表时间：
2015-07-01
期刊：
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
影响因子：
1.4
作者：
Ashida, Koji;Kajino, Tomonori;Kaneko, Tadaaki
通讯作者：
Kaneko, Tadaaki

Low energy electron channeling contrast imaging from 4H-SiC surface by SEM and its comparison with CDIC-OM and PL imaging

4H-SiC 表面 SEM 低能电子通道对比成像及其与 CDIC-OM 和 PL 成像的比较

DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.897.193
发表时间：
2017
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
0
作者：
Koji Ashida;Toru Aiso;Manabu Okamoto;Hirokazu Seki;Makoto Kitabatake;Tadaaki Kaneko
通讯作者：
Tadaaki Kaneko

Analysis of crystallographic orientation dependence of low energy SEM contrast associated with the hexagonality of silicon carbide

低能 SEM 对比度与碳化硅六方性相关的晶体取向依赖性分析