开发用于柔性结构化学传感器的薄膜晶体管-猫眼课题宝

开发用于柔性结构化学传感器的薄膜晶体管

批准号：

16F16347

负责人：

若山裕

金额：

$1.41万

依托单位：

National Institute for Materials Science

依托单位国家：

日本

项目类别：

Grant-in-Aid for JSPS Fellows

财政年份：

2016

资助国家：

日本

项目状态：

已结题

起止时间：

2016-11-07 至 2018-03-31

来源：

https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16F16347/

关键词：

薄膜トランジスタメモリ遷移金属カルコゲナイド強誘電性高分子二次元原子膜強誘電高分子メモリ－センサー

项目摘要

项目成果

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軽くて薄く、かつ柔軟で携帯できるようなセンサーやメモリの開発を目的にした。薄膜トランジスタを基本的な素子構造として、圧力や電力、光などに応答する機能性を探索した。具体的には遷移金属カルコゲナイドの中で最も重点的に研究が進められているMoS2（二硫化硫黄）をトランジスタチャネルとして用いた。さらに高分子の強誘電薄膜をゲート絶縁膜として用いることにより圧電性や焦電性を持たせ、その変化をトランジスタの特性変化として検知するようにした。まずはMoS2の成膜プロセスを確立するところから着手した。その結果、多段階の化学気相法でMoS2薄膜の成長条件を最適化し、トランジスタ動作することを確認した。強誘電性の高分子薄膜については成膜後の加熱処理条件を最適化することにより、結晶性の薄膜を成長させることができた。以上の成果によりセンサーおよびメモリ機能を持った薄膜トランジスタ開発の基礎をなすことができた。

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会议论文

Thin Film Transistor-based Memory with Molecular Dipole Moment

具有分子偶极矩的薄膜晶体管存储器

DOI： --

发表时间： 2017

期刊：

影响因子： --

作者：

[Yesul Jeong, Sinae Heo, Shu Nakaharai, Ryoma Hayakawa and Yutaka Wakayama]