柔軟構造化学センサーを目指した薄膜トランジスタの開発

开发用于柔性结构化学传感器的薄膜晶体管

• 批准号: 16F16347
• 负责人: 若山 裕
• 金额: $ 1.41万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2016
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2016-11-07 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16F16347/
• 关键词: 薄膜トランジスタ; メモリ; 遷移金属カルコゲナイド; 強誘電性高分子; 二次元原子膜; 強誘電高分子; メモリ－; センサー

軽くて薄く、かつ柔軟で携帯できるようなセンサーやメモリの開発を目的にした。薄膜トランジスタを基本的な素子構造として、圧力や電力、光などに応答する機能性を探索した。具体的には遷移金属カルコゲナイドの中で最も重点的に研究が進められているMoS2（二硫化硫黄）をトランジスタチャネルとして用いた。さらに高分子の強誘電薄膜をゲート絶縁膜として用いることにより圧電性や焦電性を持たせ、その変化をトランジスタの特性変化として検知するようにした。まずはMoS2の成膜プロセスを確立するところから着手した。その結果、多段階の化学気相法でMoS2薄膜の成長条件を最適化し、トランジスタ動作することを確認した。強誘電性の高分子薄膜については成膜後の加熱処理条件を最適化することにより、結晶性の薄膜を成長させることができた。以上の成果によりセンサーおよびメモリ機能を持った薄膜トランジスタ開発の基礎をなすことができた。

The purpose of the film is to create a film that is thin and soft. The basic element structure, pressure, power and optical properties of thin films are explored. The most important part of the study is to advance the research of MoS2 (sulfur disulfide). The polymer dielectric thin film has the properties of dielectric and pyroelectric. MoS2 film formation process is established. As a result, the growth conditions of MoS2 thin films were optimized by multi-stage chemical phase method, and the reaction conditions were confirmed. Optimization of heat treatment conditions for strongly conductive polymer films after film formation The above results are based on the development of thin films.

项目成果

Thin Film Transistor-based Memory with Molecular Dipole Moment

具有分子偶极矩的薄膜晶体管存储器

• 发表时间: 2017
• 作者: Yesul Jeong;Sinae Heo;Shu Nakaharai;Ryoma Hayakawa and Yutaka Wakayama
• 通讯作者: Ryoma Hayakawa and Yutaka Wakayama