Fabrication of thin films of amorphous carbon nitride and the elucidation of mechanism of film deposition
Fabrication of thin films of amorphous carbon nitride and the elucidation of mechanism of film deposition
非晶氮化碳薄膜的制备及薄膜沉积机理的阐明
批准号：
16K04958
负责人：
Ito Haruhiko
金额：
$3.16万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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ヘキサンとN2の混合気体マイクロ波放電を用いて作製した高窒素含有a-CNx:H膜の結合状態解析
己烷和N2混合气体微波放电制备的高氮含量a-CNx:H薄膜的键合状态分析
己烷和N2混合气体微波放电制备的高氮含量a-CNx:H薄膜的键合状态分析
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[伊藤治彦, 平松拳也, 董福, 斉藤秀俊]
通讯作者：
斉藤秀俊
Arのマイクロ波放電フローによるC2H2の解離励起過程ー 超励起状態を経由した解離機構
Ar 微波放电流引起的 C2H2 解离和激发过程 - 通过超激发态的解离机制
Ar 微波放电流引起的 C2H2 解离和激发过程 - 通过超激发态的解离机制
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[伊藤治彦, 津留紘樹]
通讯作者：
津留紘樹
Si(CH3)4の放電分解によるa-SiCx:H薄膜の形成 ― 表面O原子と膜厚に関する考察
Si(CH3)4放电分解形成a-SiCx:H薄膜——表面O原子和膜厚的讨论
Si(CH3)4放电分解形成a-SiCx:H薄膜——表面O原子和膜厚的讨论
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[飯澤仁規, 斎藤秀俊, 伊藤治彦, 関崎千歳，董福，斎藤秀俊，伊藤治彦, 伊藤治彦]
通讯作者：
伊藤治彦
CH3CNのArマイクロ波プラズマ分解で生成したa-CNx:H薄膜の構造解析
氩微波等离子体分解CH3CN制备a-CNx:H薄膜的结构分析
氩微波等离子体分解CH3CN制备a-CNx:H薄膜的结构分析
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[飯澤仁規, 斎藤秀俊, 伊藤治彦, 関崎千歳，董福，斎藤秀俊，伊藤治彦]
通讯作者：
関崎千歳，董福，斎藤秀俊，伊藤治彦
高周波プラズマCVDによる高窒素含有a-CNx:H薄膜の形成と構造解析
高氮含量a-CNx:H薄膜的高频等离子体CVD形成及结构分析
高氮含量a-CNx:H薄膜的高频等离子体CVD形成及结构分析
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[飯澤仁規, 平松拳也, 齋藤秀俊, 伊藤治彦]
通讯作者：
伊藤治彦
共 16 条