Fabrication of thin films of amorphous carbon nitride and the elucidation of mechanism of film deposition

非晶氮化碳薄膜的制备及薄膜沉积机理的阐明

• 批准号: 16K04958
• 负责人: Ito Haruhiko
• 金额: $ 3.16万
• 依托单位: Nagaoka University of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2016
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2016-04-01 至 2019-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K04958/
• 关键词: アモルファス窒化炭素; プラズマＣＶＤ; XPS分析; 結合状態解析; アモルファス窒化炭素薄膜; マイクロ波プラズマCVD; 高周波プラズマCVD; X線光電子スペクトル; 元素分析; 高窒素含有率; 化学結合状態解析; プラズマCVD; 高周波プラズマ; マイクロ波プラズマ; 構造解析; XPS; 結合解析; 表面・界面物性; レーザー分光; フリーラジカル

项目成果

ヘキサンとN2の混合気体マイクロ波放電を用いて作製した高窒素含有a-CNx:H膜の結合状態解析

己烷和N2混合气体微波放电制备的高氮含量a-CNx:H薄膜的键合状态分析

• 发表时间: 2017
• 作者: 伊藤治彦;平松拳也;董福;斉藤秀俊
• 通讯作者: 斉藤秀俊

Arのマイクロ波放電フローによるC2H2の解離励起過程ー 超励起状態を経由した解離機構

Ar 微波放电流引起的 C2H2 解离和激发过程 - 通过超激发态的解离机制

• 发表时间: 2019
• 作者: 伊藤治彦;津留紘樹
• 通讯作者: 津留紘樹

Si(CH3)4の放電分解によるa-SiCx:H薄膜の形成 ― 表面O原子と膜厚に関する考察

Si(CH3)4放电分解形成a-SiCx:H薄膜——表面O原子和膜厚的讨论

• 发表时间: 2017
• 作者: 飯澤仁規;斎藤秀俊;伊藤治彦;関崎千歳，董福，斎藤秀俊，伊藤治彦;伊藤治彦
• 通讯作者: 伊藤治彦

CH3CNのArマイクロ波プラズマ分解で生成したa-CNx:H薄膜の構造解析

氩微波等离子体分解CH3CN制备a-CNx:H薄膜的结构分析

• 发表时间: 2018
• 作者: 飯澤仁規;斎藤秀俊;伊藤治彦;関崎千歳，董福，斎藤秀俊，伊藤治彦
• 通讯作者: 関崎千歳，董福，斎藤秀俊，伊藤治彦

高周波プラズマCVDによる高窒素含有a-CNx:H薄膜の形成と構造解析

高氮含量a-CNx:H薄膜的高频等离子体CVD形成及结构分析

• 发表时间: 2016
• 作者: 飯澤仁規;平松拳也;齋藤秀俊;伊藤治彦
• 通讯作者: 伊藤治彦