Investigation on physical properties of Nb compounds with low valence states by using reductive epitaxy

还原外延研究低价态铌化合物的物理性质

基本信息

  • 批准号:
    16K05737
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.16万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Ruddlesden-Popper型Srn+1VnO3n+1(001)(n = 1, 2)エピタキシャル薄膜の次元性制御による金属絶縁体転移
通过控制 Ruddlesden-Popper 型 Srn+1VnO3n+1(001)(n = 1, 2) 外延薄膜的维数实现金属-绝缘体转变
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    福田 慎太郎;岡 大地;福村 知昭
  • 通讯作者:
    福村 知昭
ペロブスカイト型BaNbO3エピタキシャル薄膜の合成と電気伝導性
钙钛矿型BaNbO3外延薄膜的合成及电导率
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    徳永 凌祐,岡 大地,福田 慎太郎;福村 知昭
  • 通讯作者:
    福村 知昭
Growth and Magnetic Properties of Ruddlesden-Popper Series Srn+1VnO3n+1 Epitaxial Thin Films
Ruddlesden-Popper系列Srn 1VnO3n 1 外延薄膜的生长和磁性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shintaro Fukuda;Daichi Oka;and Tomoteru Fukumura
  • 通讯作者:
    and Tomoteru Fukumura
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Oka Hirofumi;Okada Yoshinori;Kaminaga Kenichi;Oka Daichi;Hitosugi Taro;Fukumura Tomoteru;平井瑠夏,渡邉貴一,小野努;H. Ago
  • 通讯作者:
    H. Ago
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  • DOI:
    10.1103/physrevb.105.014442
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.7
  • 作者:
    Shimizu Hirokazu;Oka Daichi;Kaminaga Kenichi;Saito Daichi;Yamamoto Taku;Abe Nobuto;Kimura Noriaki;Shiga Daisuke;Kumigashira Hiroshi;Fukumura Tomoteru
  • 通讯作者:
    Fukumura Tomoteru
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  • DOI:
    10.7567/1347-4065/ab4a88
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Makino Takayuki;Asai Takaho;Takeuchi Tomoya;Kaminaga Kenichi;Oka Daichi;Fukumura Tomoteru
  • 通讯作者:
    Fukumura Tomoteru
Synthesis of Stoichiometric SrTiO3 and Its Carrier Doping from Air-Stable Bimetallic Complexes
空气稳定双金属配合物化学计量SrTiO3的合成及其载流子掺杂
  • DOI:
    10.1021/acs.inorgchem.0c03457
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.6
  • 作者:
    Oyeka Ebube E.;Oka Daichi;Kwon Eunsang;Fukumura Tomoteru
  • 通讯作者:
    Fukumura Tomoteru
Width-induced metal?insulator transition in SrVO3 lateral nanowires spontaneously formed on the ultrathin film
超薄膜上自发形成的 SrVO3 横向纳米线的宽度诱导金属绝缘体转变
  • DOI:
    10.1063/5.0018240
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Oka Hirofumi;Okada Yoshinori;Kaminaga Kenichi;Oka Daichi;Hitosugi Taro;Fukumura Tomoteru
  • 通讯作者:
    Fukumura Tomoteru

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  • 批准号:
    23K23216
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 3.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 批准号:
    23K23292
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 3.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 批准号:
    24H02580
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 3.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
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知道了