Investigation on physical properties of Nb compounds with low valence states by using reductive epitaxy
Investigation on physical properties of Nb compounds with low valence states by using reductive epitaxy
还原外延研究低价态铌化合物的物理性质
批准号：
16K05737
负责人：
Oka Daichi
金额：
$3.16万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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Ruddlesden-Popper型Srn+1VnO3n+1(001)(n = 1, 2)エピタキシャル薄膜の次元性制御による金属絶縁体転移
通过控制 Ruddlesden-Popper 型 Srn+1VnO3n+1(001)(n = 1, 2) 外延薄膜的维数实现金属-绝缘体转变
通过控制 Ruddlesden-Popper 型 Srn+1VnO3n+1(001)(n = 1, 2) 外延薄膜的维数实现金属-绝缘体转变
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[福田 慎太郎, 岡 大地, 福村 知昭]
通讯作者：
福村 知昭
ペロブスカイト型BaNbO3エピタキシャル薄膜の合成と電気伝導性
钙钛矿型BaNbO3外延薄膜的合成及电导率
钙钛矿型BaNbO3外延薄膜的合成及电导率
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[徳永 凌祐，岡 大地，福田 慎太郎, 福村 知昭]
通讯作者：
福村 知昭
Growth and Magnetic Properties of Ruddlesden-Popper Series Srn+1VnO3n+1 Epitaxial Thin Films
Ruddlesden-Popper系列Srn 1VnO3n 1 外延薄膜的生长和磁性能
Ruddlesden-Popper系列Srn 1VnO3n 1 外延薄膜的生长和磁性能
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Shintaro Fukuda, Daichi Oka, and Tomoteru Fukumura]
通讯作者：
and Tomoteru Fukumura
Development of oxyhalide-semiconductor-based solar cells by solution epitaxy
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批准号：20K21232
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额：$4.16万
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财政年份：2020
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负责人：Oka Daichi
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依托单位：
海外基金
