Spin order in dilute magnetic semiconductors (A17)

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Die Wechselwirkungen magnetischer Verunreinigungen in GaN basierten Schichtsystemen werden experimentell untersucht. Die mögliche Ausbildung einer ferromagnetischen Ordnung auf makroskopischer Skala hängt dabei in komplexer Weise mit der Zusammensetzung und der Mikrostruktur der Probe zusammen, die in erster Linie die Lage des Ferminiveaus relativ zu den d- und f-Zuständen beeinflussen. Die Hauptziele sind die Etablierung von Raumtemperatur-Ferromagnetismus in GaN-Heterostrukturen sowie die Abschätzung der Tragfähigkeit dieser Materialklasse für die Spinelektronik.