Development of rare metal free high performance flexible oxide transistors and logic circuits

开发无稀有金属高性能柔性氧化物晶体管和逻辑电路

• 批准号: 16K06288
• 负责人: SATOH Kazuo
• 金额: $ 3.08万
• 依托单位: Osaka Research Institute of Industrial Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2016
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2016-04-01 至 2019-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K06288/
• 关键词: 酸化物薄膜; フレキシブル; 薄膜トランジスタ; レアメタルフリー; 酸化物アモルファス半導体; フレキシブルデバイス; ZTO; 熱処理; 電子・電気材料; 半導体物性; TFT

项目成果

Low temperature fabrication of ZnO-SnO2 thin film transistors

ZnO-SnO2薄膜晶体管的低温制备

• 发表时间: 2017
• 作者: Kazuo Satoh;Shuichi Murakami;Yusuke Kanaoka;Yoshiharu Yamada;Yusuke Kondo;Yoshiharu Kakehi;Yoshiaki Sakurai and Satoru Kaneko
• 通讯作者: Yoshiaki Sakurai and Satoru Kaneko

レアメタルフリー材料ZnO-SnO2を用いた薄膜トランジスタ

采用无稀有金属材料ZnO-SnO2的薄膜晶体管

• 发表时间: 2018
• 作者: 堀井勇哉;石鍋隆宏;柴田陽生;藤掛英夫;佐藤和郎
• 通讯作者: 佐藤和郎

フレキシブル基板上に作製したZnO-SnO2薄膜トランジスタの特性

柔性基板上ZnO-SnO2薄膜晶体管的特性

• 发表时间: 2018
• 作者: 石田亮;後藤隆志;島影尚;武田正典;佐藤 和郎，村上 修一，金岡 祐介，山田 義春，筧 芳治，近藤 裕佑，櫻井 芳昭
• 通讯作者: 佐藤 和郎，村上 修一，金岡 祐介，山田 義春，筧 芳治，近藤 裕佑，櫻井 芳昭

スパッタリング法により作製したZnO-SnO2 を用いた薄膜トランジスタの熱処理効果

溅射法制备ZnO-SnO2薄膜晶体管的热处理效果

• 发表时间: 2018
• 作者: 堀井勇哉;石鍋隆宏;柴田陽生;藤掛英夫;佐藤和郎;佐藤和郎，村上修一，金岡祐介，山田義春，筧芳治，近藤裕佑，櫻井芳昭
• 通讯作者: 佐藤和郎，村上修一，金岡祐介，山田義春，筧芳治，近藤裕佑，櫻井芳昭

熱処理がZnO-SnO2を用いた薄膜トランジスタ特性に与える影響（II）

热处理对ZnO-SnO2薄膜晶体管特性的影响(II)

• 发表时间: 2017
• 作者: 佐久間由哲;島影尚;佐藤 和郎，村上 修一，金岡 祐介，中山 健吾，山田 義春，筧 芳治，櫻井 芳昭
• 通讯作者: 佐藤 和郎，村上 修一，金岡 祐介，中山 健吾，山田 義春，筧 芳治，櫻井 芳昭