Construction of process and design basis for the realization of a new ultra-low loss nitride heterostructure transistors

构建新型超低损耗氮化物异质结构晶体管的工艺和设计基础

• 批准号: 16K06298
• 负责人: MAKOTO MIYOSHI
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Nagoya Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2016
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2016-04-01 至 2019-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K06298/
• 关键词: 窒化物半導体; パワートランジスタ; 界面準位; フォトルミネッセンス; AlGaN; トランジスタ; 界面準位密度; ノーマリオフ; 電子デバイス・機器; 電子・電気材料; 結晶工学; 半導体物性

项目成果

高効率パワーエレクトロニクス機器のためのWBG半導体パワーデバイス技術と超高耐圧AlGaNトランジスタ

用于高效电力电子设备的WBG半导体功率器件技术和超高压AlGaN晶体管

• 发表时间: 2018
• 作者: 斉藤 早紀;細見 大樹;古岡 啓太;久保 俊晴;江川 孝志;三好実人;三好 実人
• 通讯作者: 三好 実人

ALD-Al2O3膜を堆積したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造におけるMIS界面準位の評価

沉积 ALD-Al2O3 薄膜的 AlGaInN/AlGaN 异质结构中 MIS 界面态的评估

• 发表时间: 2019
• 作者: 斉藤 早紀;細見 大樹;古岡 啓太;久保 俊晴;江川 孝志;三好実人
• 通讯作者: 三好実人

歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET

具有应变控制 AlGaInN 势垒层的 2.5kV 级 AlGaN 沟道 HFET

• 发表时间: 2018
• 作者: 細見 大樹;古岡 啓太;Chen Heng;斉藤 早紀;久保 俊晴;江川 孝志;三好実人
• 通讯作者: 三好実人

四元混晶AlGaInNバリア層を用いたAlGaNチャネルHFETのデバイス特性評価

使用四元混晶 AlGaInN 势垒层的 AlGaN 沟道 HFET 器件特性评估

• 发表时间: 2018
• 作者: 細見 大樹;古岡 啓太;Chen Heng;久保 俊晴;江川 孝志;三好 実人
• 通讯作者: 三好 実人

プラズマエッチング処理ならびにAl2O3-ALD成膜プロセスを経たAlGaNエピタキシャル膜のPLライフタイム測定

等离子刻蚀处理和Al2O3-ALD成膜工艺后AlGaN外延膜的PL寿命测量

• 发表时间: 2017
• 作者: 中島 陸;森 拓磨;細見 大樹;江川孝志;三好 実人
• 通讯作者: 三好 実人