Construction of process and design basis for the realization of a new ultra-low loss nitride heterostructure transistors
Construction of process and design basis for the realization of a new ultra-low loss nitride heterostructure transistors
构建新型超低损耗氮化物异质结构晶体管的工艺和设计基础
批准号：
16K06298
负责人：
MAKOTO MIYOSHI
金额：
$2.91万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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高効率パワーエレクトロニクス機器のためのWBG半導体パワーデバイス技術と超高耐圧AlGaNトランジスタ
用于高效电力电子设备的WBG半导体功率器件技术和超高压AlGaN晶体管
用于高效电力电子设备的WBG半导体功率器件技术和超高压AlGaN晶体管
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[斉藤 早紀, 細見 大樹, 古岡 啓太, 久保 俊晴, 江川 孝志, 三好実人, 三好 実人]
通讯作者：
三好 実人
ALD-Al2O3膜を堆積したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造におけるMIS界面準位の評価
沉积 ALD-Al2O3 薄膜的 AlGaInN/AlGaN 异质结构中 MIS 界面态的评估
沉积 ALD-Al2O3 薄膜的 AlGaInN/AlGaN 异质结构中 MIS 界面态的评估
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[斉藤 早紀, 細見 大樹, 古岡 啓太, 久保 俊晴, 江川 孝志, 三好実人]
通讯作者：
三好実人
歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET
具有应变控制 AlGaInN 势垒层的 2.5kV 级 AlGaN 沟道 HFET
具有应变控制 AlGaInN 势垒层的 2.5kV 级 AlGaN 沟道 HFET
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[細見 大樹, 古岡 啓太, Chen Heng, 斉藤 早紀, 久保 俊晴, 江川 孝志, 三好実人]
通讯作者：
三好実人
四元混晶AlGaInNバリア層を用いたAlGaNチャネルHFETのデバイス特性評価
使用四元混晶 AlGaInN 势垒层的 AlGaN 沟道 HFET 器件特性评估
使用四元混晶 AlGaInN 势垒层的 AlGaN 沟道 HFET 器件特性评估
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[細見 大樹, 古岡 啓太, Chen Heng, 久保 俊晴, 江川 孝志, 三好 実人]
通讯作者：
三好 実人
プラズマエッチング処理ならびにAl2O3-ALD成膜プロセスを経たAlGaNエピタキシャル膜のPLライフタイム測定
等离子刻蚀处理和Al2O3-ALD成膜工艺后AlGaN外延膜的PL寿命测量
等离子刻蚀处理和Al2O3-ALD成膜工艺后AlGaN外延膜的PL寿命测量
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[中島 陸, 森 拓磨, 細見 大樹, 江川孝志, 三好 実人]
通讯作者：
三好 実人
共 20 条
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